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从早上的闹钟到天气预报：半导体是这一切的幕后工具。

化学机械平面化（CMP）是一种结合化学腐蚀与机械研磨作用，对材料表面进行高精度平坦化处理的技术工艺。其核心原理是通过化学试剂与磨料颗粒的协同作用，选择性去除表面凸起部分，使晶圆等基材达到纳米级平整度，为半导体芯片多层结构的精确叠加奠定基础。作为微电子制造中的关键环节，CMP已成为集成电路（IC）、微机电系统（MEMS）等器件量产的必备工艺。

一、CMP——“平整度守护者”

为了使它们可靠地工作，化学机械平面化（CMP）确保晶片完全平坦，使每个芯片层都能以纳米精度构建。微小的表面不规则性会影响性能，因此控制晶圆平整度至关重要。

二、凹槽堵塞与釉化的无损检测

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CMP抛光垫凹槽的三维轮廓图

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S mart 2 可集成测量头

使用S mart 2 可集成测量头优化CMP垫的使用，实现现场无损测量，精确检测凹槽堵塞和衬垫釉化。有了这种洞察力，制造商可以延长衬垫寿命，降低成本，并加强对流程的管控。从加工流程开始确保精度。

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