国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管及发光装置”的专利，公开号CN121865781A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括第一半导体层及N个台面结构。第一半导体层包括N个台面区及设置于相邻台面区之间的N‑1个电流阻断区，N≥2，N取正整数，台面区的导电类型为第一导电类型，电流阻断区的导电类型为与第一导电类型相反的第二导电类型，电流阻断区用于将相邻台面结构电隔离。N个台面结构一一对应地设置于第一半导体层的N个台面区上，每个台面结构至少包括有源层和第二半导体层。每个台面结构与其下方的第一半导体层构成单个发光单元，相邻发光单元通过桥接电极电连接。由此，本发明采用PN结的反向截止性能将相邻发光单元电隔离，进而提升了器件的可靠性。

天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目58次，专利信息651条，此外企业还拥有行政许可407个。

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作者：情报员