来源：新浪证券-红岸工作室

4月18日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种用于功率芯片低成本、高镀速纯钯化学镀液”的专利。申请公布号为CN121874763A，申请号为CN202511931936.0，申请公布日期为2026年4月17日，申请日期为2025年12月19日，发明人秦祥、叶瑞、王蝶、罗海燕，专利代理机构湖北三峡专利代理事务所（普通合伙），专利代理师王玉芳，分类号C23C18/44。

专利摘要显示，本发明提供一种用于功率芯片低成本、高镀速纯钯化学镀液，以镀液总量计，包含以下组分：水溶性钯盐0.4‑0.6 g/L、复合络合剂20‑30g/L、pH缓冲剂10‑20 g/L、双还原剂8‑12 g/L、加速剂0.1‑0.5 g/L和稳定剂5‑8 mg/L；所述复合络合剂包含5‑10 g/L有机胺类和15‑20 g/L氨基羧酸；所述双还原剂选自肼类物质、甲酸类物质或羟胺类物质中的两种。本发明公开的化学镀钯液可用于功率芯片上铝基材化学镀镍钯金表面处理工艺中高速镀纯钯，所得到的镀层为不含磷的纯钯镀层，镀液在较低钯含量条件下镀速高达0.049 μm/min，可有效降低生产过程中药液成本和时间成本，同时镀液还具有良好的稳定性，可实现5个MTO的稳定运行。

兴福电子成立于2008年11月14日，于2025年1月22日在上海证券交易所上市，注册地址位于湖北省宜昌市，办公地址也在湖北省宜昌市。该公司是国内湿电子化学品领域的佼佼者，核心产品涵盖通用及功能湿电子化学品，具备全产业链优势。

兴福电子主要从事湿电子化学品的研发、生产和销售，产品包括电子级磷酸、硫酸等通用湿电子化学品及蚀刻液等功能湿电子化学品。所属申万行业为电子 - 电子化学品Ⅱ - 电子化学品Ⅲ，概念板块包括融资融券、转融券标的、中芯国际概念。

2025年，兴福电子营业收入14.75亿元，行业排名8/12，低于行业平均的19.1亿元和中位数17.42亿元，第一名鼎龙股份为36.6亿元，第二名光华科技29.64亿元。主营业务中，通用湿电子化学品占比74.13%，为10.93亿元。净利润方面，2025年为2.06亿元，行业排名5/12，高于行业中位数1.41亿元，但低于行业平均的2.63亿元，第一名鼎龙股份7.96亿元，第二名安集科技7.84亿元。

湖北兴福电子材料股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种PTFE微孔折叠滤芯清洗方法发明专利公布CN202511994651.12025-12-26CN121668812A2026-03-17李少平、郭岚峰、杨着、刘洋、汪泳2一种高纯度氢氧化钾的制备方法发明专利公布CN202511932357.82025-12-19CN121757885A2026-03-31彭俊杰、欧阳克银、吴昊、王荣、王豪3一种用于功率芯片低成本、高镀速纯钯化学镀液发明专利公布CN202511931936.02025-12-19CN121874763A2026-04-17秦祥、叶瑞、王蝶、罗海燕4一种离子交换树脂的干燥工艺和使用方法发明专利公布CN202511931440.32025-12-19CN121869470A2026-04-17李少平、崔俊博、欧阳克银、吴昊、王荣5一种半导体先进封装厚胶剥膜液及去胶方法发明专利公布CN202511930968.92025-12-19CN121879069A2026-04-17张演哲、叶瑞、贺兆波、欧阳克银、尉鹏6一种半导体功率芯片铝基纯钯化学镀液及化学镀方法发明专利公布CN202511931925.22025-12-19CN121874762A2026-04-17李少平、秦祥、贺兆波、王蝶、陈小超7一种通过一锅三步法反应合成有机硅稳定剂的方法发明专利公布CN202511901046.52025-12-16CN121851050A2026-04-14王震、冯凯、贺兆波、钟博文8一种炭化树脂中元素含量的检测方法发明专利公布CN202511888861.22025-12-15CN121540696A2026-02-17杨磊、曾远、贺兆波、李琴9一种高纯红磷中痕量杂质检测方法发明专利公布CN202511868003.12025-12-11CN121762666A2026-03-31曾远、杨磊、陈香蓉、贺兆波10一种高纯电子级硅基前驱体材料微量金属杂质检测前处理方法发明专利公布CN202511859439.42025-12-10CN121855989A2026-04-14李少平、万富强、杨着、贺兆波11一种检测强酸体系中微量四甲基氢氧化铵的方法发明专利公布CN202511859494.32025-12-10CN121856458A2026-04-14谭小龙、贺兆波、冯凯、李飞12一种适用于RDL工艺的剥膜液发明专利公布CN202511840165.42025-12-08CN121657383A2026-03-13郑秋曈、钟昌东、高楒羽、张宗萍13一种先进封装用无氰碱性电镀银添加剂的制备方法及其先进封装用银电镀液发明专利公布CN202511828947.62025-12-05CN121781231A2026-04-03李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超14先进封装用无氰碱性银电镀液及在电镀银上的应用发明专利公布CN202511828953.12025-12-05CN121802493A2026-04-07李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超15一种低Ge含量的SiGe/Si选择性蚀刻液及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820210.X2025-12-04CN121592351A2026-03-03余迪、尹印、马瑞、臧洋、崔会东16一种具有PSPI侧壁保护功能的选择性BOE蚀刻液及其应用发明专利公布CN202511820211.42025-12-04CN121780172A2026-04-03许真、张庭、贺兆波、李金航17一种利用FIB制备TEM样品薄片的交叉减薄方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810667.22025-12-03CN121703460A2026-03-20黄莉、曾远、徐泽、欧阳克银18一种氮化钛和钨的高选择比蚀刻液及蚀刻方法发明专利公布CN202511801501.42025-12-02CN121852056A2026-04-14钟昌东、贺兆波、徐子豪、张宗萍19一种四羟基四苯乙烯类光引发剂的制备方法及紫外线吸收剂发明专利公布CN202511801652.X2025-12-02CN121850908A2026-04-14黄仁兰、张诺诺、周钢翔、吴翔20一种低电阻硅蚀刻液发明专利公布CN202511801693.92025-12-02CN121852057A2026-04-14叶瑞、杨陈宗、尹印、贺兆波21一种高选择性金属蚀刻液及蚀刻方法发明专利公布CN202511801389.42025-12-02CN121852055A2026-04-14叶瑞、钟昌东、曾婷、高楒羽22一种高纯黄磷中痕量杂质的ICP-MS检测方法发明专利公布CN202511792309.32025-12-01CN121762665A2026-03-31李少平、曾远、贺兆波、李琴、杨磊23一种用于晶圆铝铜基的锌置换配方及工艺发明专利公布CN202511792514.X2025-12-01CN121802395A2026-04-07王蝶、秦祥、付艳梅、杨铭、罗海燕24一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液发明专利公布CN202511792228.32025-12-01CN121802420A2026-04-07钟博文、冯凯、王震、叶瑞25一种连续化合成电子级甲基二乙氧基硅烷及联产氯化氢的装置及工艺发明专利公布CN202511792510.12025-12-01CN121869237A2026-04-17张刚、万富强、侯建鑫、李锐峰、叶瑞26一种铜钛蚀刻液及其制备方法与应用发明专利公布CN202511782213.92025-11-29CN121653659A2026-03-13张玥、贺兆波、欧阳克银、钟昌东27长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511782122.52025-11-29CN121736760A2026-03-27李金航、张庭、罗海燕、刘春丽28一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511782209.22025-11-29CN121736761A2026-03-27杨陈宗、尹印、万杨阳、余迪29一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511782118.92025-11-29CN121736759A2026-03-27马瑞、尹印、余迪、臧洋30一种湿电子化学品用PFA瓶的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511779494.22025-11-28CN121732518A2026-03-27陈曦、叶瑞、郭岚峰、刘洋、许明杰31一种选择性氮化钛蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511765268.92025-11-27CN121736756A2026-03-27杨俊伟、尹印、万杨阳、路明32一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511764914.X2025-11-27CN121736757A2026-03-27余建平、尹印、杨俊伟、叶瑞33一种强络合铜废水的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511732820.42025-11-24CN121470717A2026-02-06张宗萍、钟昌东、李文飞、欧阳克银34一种羟基磷灰石-氧化铈复合材料的制备方法及化学机械抛光液发明专利公布CN202511732814.92025-11-24CN121651303A2026-03-13邹哲敏、贺兆波、罗月、刘文戈35一种非离子型萘酰亚胺光酸衍生物及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511732818.72025-11-24CN121698806A2026-03-20粟鹏、周钢翔、吴翔、崔会东36一种电子级复合包装桶及制备方法与应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511722214.42025-11-21CN121404647A2026-01-27王洪杨、邹磊、杨着、周小龙37一种磺酸肟酯类光致产酸剂制备方法及用途发明专利公布CN202511721181.12025-11-21CN121673260A2026-03-17胡聪、周钢翔、吴翔、叶瑞38一种用于TGV玻璃通孔蚀刻的BOE溶液及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511712184.92025-11-20CN121494345A2026-02-10董攀飞、张庭、贺兆波、李金航39一种氮化硅和氧化硅的选择性蚀刻液发明专利公布CN202511712181.52025-11-20CN121780168A2026-04-03班昌胜、冯凯、李飞、李素云40一种3D NAND深孔结构蚀刻液及其制备方法与应用发明专利公布CN202511711837.12025-11-20CN121780170A2026-04-03李飞、冯凯、班昌胜、王书萍41一种膜分离耦合离子交换树脂的电子级磷酸制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511702497.62025-11-19CN121493891A2026-02-10胡杜娟、姜飞、贺兆波、陶瑞42高温选择性刻蚀氮化硅的蚀刻液及其制备方法发明专利公布CN202511703236.62025-11-19CN121780169A2026-04-03李素云、冯凯、李飞、严凡43一种用于不同锗含量SiGe叠层的高选择比蚀刻液及使用方法发明专利公布CN202511703434.22025-11-19CN121780167A2026-04-03臧洋、尹印、余迪、马瑞44石英蚀刻液及其蚀刻方法发明专利公布CN202511703242.12025-11-19CN121780171A2026-04-03杨翠翠、张庭、武昊冉、蒲帅45高选择性的钛硅氮/氮化钛蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511694499.52025-11-18CN121699612A2026-03-20严凡、冯凯、贺兆波、王勇军46超临界二氧化碳协同清洗电子级槽车系统与方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511684696.92025-11-17CN121491102A2026-02-10李少平、刘洋、杨着、郭岚峰、汪鳙47用于抑制金属钛蚀刻的蚀刻液及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511684488.92025-11-17CN121699614A2026-03-20蒲帅、张庭、董攀飞、李金航48一种电子级HCl纯化系统及纯化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511665017.32025-11-13CN121493870A2026-02-10吴春元、贺兆波、杨着、蔡俊霄49一种高稳定性、高致密性的化学镀磷钯液及其制备方法和应用发明专利公布CN202511655928.82025-11-12CN121653626A2026-03-13杨铭、秦祥、李文飞、王蝶50一种二氧化硅和钛的高选择性蚀刻液发明专利公布CN202511647087.62025-11-11CN121652807A2026-03-13武昊冉、张庭、李金航、许真、董攀飞

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI大模型基于第三方数据库自动发布，不代表新浪财经观点，任何在本文出现的信息均只作为参考，不构成个人投资建议。如有出入请以实际公告为准。如有疑问，请联系biz@staff.sina.com.cn。