NAND闪存价格正进入一个持续压力的阶段，这一阶段与最近的DRAM市场动荡相似，甚至可能超过这些动荡的影响。
来自TrendForce的新数据表明，SSD组件的成本不再受短期库存周期的影响。
相反，生产策略和需求结构的变化正在重塑NAND闪存的供应和定价。
供应策略限制比特增长
最近的预测挑战了这样的假设：一旦临时市场失衡消退，NAND价格就会恢复正常，特别是企业存储需求持续扩张的情况下。
内存供应商已经将NAND闪存的策略调整为注重效率，而不是激进扩产。
制造业的重点已转向更高层数的产品、QLC的采用和工艺优化，这导致近期产出增长受到限制。
尽管需求信号上升，资本支出依然较为保守，洁净室空间和生产线的限制成为了制约因素。
这些条件使得额外的NAND供应难以迅速进入市场，即便价格激励在增加。
NAND Flash市场的需求模式依然不均衡。人工智能基础设施、企业服务器和云存储平台仍在大量吸收高容量的SSD。
人工智能成为推动NAND Flash需求上升的主要动力，促使行业资本支出前景进行修订。
与此同时，智能手机和笔记本电脑的出货量面临下调，因为内存成本不断上升，给设备利润带来了压力。
这种差异让卖方的议价能力更强，使得更强劲的市场能够影响合同定价，而较弱的消费市场只能提供有限的抵消需求。
然而，投资优先级更偏向于先进制造技术，而不是单纯扩大原材料产能。
DRAM支出强调先进节点和与HBM相关的产品，而NAND Flash投资则集中在更高层次的架构设计和混合键合技术上。
设备供应商对长期需求保持乐观，尽管日益增加的技术复杂性使得快速扩展的门槛提高。
因此，更高的支出并未直接转化为显著的比特增长。
因此，合同价格正在快速上涨，主要受到库存补货和持续的企业需求推动。
考虑到供应增长有限，这些价格上涨似乎更具持续性，而非暂时性，这降低了价格在达到更高水平后回落的可能性。
如果与人工智能相关的存储需求继续以更快的速度增长，超过制造产出的增长，SSD NAND组件可能会遵循与近期DRAM趋势类似的定价轨迹。
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