国家知识产权局信息显示，罗姆股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN121925958A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，半导体装置包括：形成于芯片的第一杂质区域、第二杂质区域以及第三杂质区域；沟槽，其形成于所述芯片；沟槽绝缘膜，其形成于所述沟槽的内表面；导电性的埋设体，其埋设于所述沟槽；以及电场缓冲层，其形成于所述沟槽的底部，所述电场缓冲层包括：第一层，其从所述沟槽的底部向第二主面侧离开而形成，且具有第一杂质浓度；以及第二层，其形成于所述第一层与所述沟槽的底部之间，且具有比所述第一杂质浓度高的第二杂质浓度。

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作者：情报员