国家知识产权局信息显示，周星工程股份有限公司申请一项名为“形成薄膜的方法以及使用其来制造电致发光显示设备的方法”的专利，公开号CN121925970A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，公开了一种在设置有第一子像素区域和第二子像素区域的基板上形成薄膜的方法以及使用该方法制造电致发光显示设备的方法，该形成薄膜的方法包括：在第一子像素区域中形成第一发光层，其中，在第一子像素区域中形成第一发光层的步骤包括在第一子像素区域中形成含镓（Ga）的半导体层。

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作者：情报员