国家知识产权局信息显示，南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种垂直结构LED图形化P型欧姆反射电极的制备方法”的专利，公开号CN121924898A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种垂直结构LED图形化P型欧姆反射电极的制备方法，包括以下步骤：提供LED外延片，LED外延片包括衬底和依次层叠于衬底上的N型半导体层、活性层和P型半导体层；激活P型半导体层；在P型半导体层上整面沉积绝缘材料；在绝缘材料上光刻形成图形化光刻胶，去除未被图形化光刻胶保护区域的绝缘材料，剩余绝缘材料为P面钝化和电流阻挡层；将LED外延片使用盐酸水溶液处理，再对LED外延片进行前烘；整面蒸发P型欧姆反射电极；刻蚀得到图形化P型欧姆反射电极；对图形化P型欧姆反射电极进行合金，完成制备。本发明通过一步光刻制得P面钝化和电流阻挡层和图形化P型欧姆电极，节省了一次光刻步骤，避免了二次光刻导致的图形对准偏差。

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作者：情报员