国家知识产权局信息显示，新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请一项名为“具有STI结构的单光子雪崩二极管”的专利，公开号CN121924850A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明涉及具有STI结构的单光子雪崩二极管，一种单光子雪崩二极管(SPAD)装置包括半导体衬底、中心源极/漏极、外源极/漏极，以及位于该衬底的入射表面的该中心源极/漏极与该外源极/漏极间的浅沟槽隔离(STI)结构，其中，该STI结构的宽度是该中心源极/漏极的宽度的至少三分之一。与传统装置相比，该SPAD装置可具有优越的暗电流率。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员