来源：市场资讯
（来源：半导体芯情）
虽然存储芯片现货市场目前出现了大幅下跌，很多存储炒货人出现了大面积亏损。目前，存储现货涨价出现停滞，但是存储原厂的芯片合约价继续飙升。据透露，随着固态硬盘（SSD）需求持续升温，新一波涨价潮正式展开。三星电子已通知渠道，旗下SSD产品价格调涨逾10%；另一大存储厂商金士顿同步跟进，本周起全系列SSD至少涨价10%。
市场预期方面，两大厂调价将引发连锁效应，带动整体SSD市场报价全面走高。事实上，这已是本月内SSD产品第二轮提价。在此之前，三星与西部数据已针对高阶M.2规格产品实施大规模涨价，部分地区甚至出现价格翻倍的情况。
这是本月内存储原厂发起的第二轮集中提价。本月初，三星与西部数据已率先对部分高端M.2接口固态硬盘实施价格调整，其中多款旗舰型号涨幅接近两倍；部分海外市场中，8TB容量的顶级产品标价一度超过四千美元。
新旧两轮调价叠加，使得当前零售端SSD价格整体跃升至历史最高水平。以三星990 PRO 1TB型号为例，目前海外主流售价区间为三百至三百三十美元，本次上调百分之十后，预计售价将升至三百三十至三百六十美元。相较去年同期不足一百美元的成交价，累计涨幅已达三至四倍。
国内市场方面，主流国产PCIe 4.0标准的1TB固态硬盘报价已普遍涨至九百元左右，2TB规格产品则接近一千五百元。
根据专业机构最新预测，2026年第二季度NAND Flash合约价格环比涨幅将在百分之七十至七十五之间，DRAM合约价亦将季增百分之五十八至六十三。
东北证券发布研报称，AI时代HBM或为需求弹性最大的存储器，涨价预计至少持续到2027年，三大巨头与客户签订长期协议以提高需求可见性、降低资本支出风险，有利于提升存储厂的估值。封装良率与大客户验证速度是行业份额的核心决定因素。2026年作为HBM4的决战之年，市场的核心围绕着英伟达Vera Rubin架构展开。各大厂商进行规模扩产，月产能有望高涨。
本轮价格上行的核心动因，仍源于上游NAND闪存晶粒成本持续高位运行。当前AI服务器市场需求强劲，头部制造商正加速将先进制程产能优先投向高带宽内存及企业级固态硬盘领域，导致面向消费市场的供应能力持续收紧，业内普遍预期这一供应偏紧态势将持续至2027年。
对于本次原厂的涨价行为，存储专业分析师表示，鉴于三星与金士顿在全球存储行业的主导地位，此次协同调价极可能引发其他主流品牌迅速响应，SSD终端市场价格进一步走高已成大概率事件。
1月29日，三星电子宣布，去年Q4其93.8万亿韩元（约合4559亿元人民币）的营业收入，同比增长约24%，创下历史新高，20.1万亿韩元（约合977亿元人民币）的营业利润更是同比增长超过两倍。
自2023年的行业谷底爬出后，近年来AI热潮引发存储芯片需求激增、价格大涨，与此同时，来自消费电子市场的“传统”内存需求则在一定程度被抑制。此起彼伏间，存储行业眼下的超级周期看起来还会持续颇久。半导体芯情了解到，以前存储芯片涨价周期一般也就两年，本次的存储芯片涨价周期可能四五年因为这波AI带来的存储芯片容量提升是以前十倍以上，存储变革是非常巨大的。
三星电子也在财报中提及，去年Q4，通过增加高附加值产品如HBM（高带宽内存）、服务器DDR5（第五代双倍数据率同步动态随机存储器）和企业级SSD（固态硬盘）的销量，自身的盈利能力得到提升。
近日，SK海力士公布了第一季度业绩，其中营收达52.57万亿韩元，同比激增198.1%；营业利润为37.61万亿韩元，同比增长405.5%；净利润高达40.35万亿韩元，远超市场预期的30.4万亿韩元，同比增幅达398%。业绩的强劲增长主要得益于产品价格的大幅上涨，其中DRAM平均售价环比提升约60%，NAND闪存均价环比涨幅更是达到约70%。SK海力士解释说，尽管第一季度是传统季节性的淡季，但通过增加诸如HBM、高容量服务器DRAM模块和eSSD等高附加值产品的销售，营利率强劲增长。
该公司表示，DRAM和NAND产品价格大幅上涨，以及高附加值产品组合占比持续提升，随着AI计算对存储器的战略需求日益凸显，高性能存储供应仍处于受限状态，有利的定价环境预计将在一段时间内延续。过去几个季度，在人工智能需求推动下，SK海力士的利润率步步攀升。
Counterpoint Research研究分析师MS Hwang表示，存储器公司第一季度的业绩“显示出强劲的盈利能力，并表明人工智能推理需要的内存比预期要多得多，各公司都在争相确保供应”。
除SK海力士外，另一家存储巨头三星电子也传来利好消息。据相关报道，由于特斯拉面临内存供应短缺，三星已于今年4月将其向特斯拉供应的8GB GDDR6 DRAM芯片量提升至第一季度月均水平的三倍。
为满足这一激增的需求，三星已在其位于韩国华城(Hwaseong）的工厂加速生产。这些DRAM芯片主要用于特斯拉车辆的车载信息娱乐系统及自动驾驶计算平台。
除了海外消息提振之外，澜起科技的表现略强于其他市场。消息方面，市场预期一季度实现营收16.21亿元，每股收益0.593元。
而在更早些时间，澜起科技公布2025年年度的业绩，其中营业收入54.56亿元，同比增长49.94%；归母净利润22.36亿元，同比增长58.35%；扣非归母净利润20.22亿元，同比增长61.95%。
关于去年业绩增长原因，澜起科技表示，受益于AI产业趋势，行业需求旺盛，该公司的互连类芯片出货量显著增加，推动公司相关产品销售收入较上年度大幅增长。
自2025年年中以来，在人工智能(AI)产业的强力驱动下，全球存储芯片市场持续处于供应紧平衡状态。面对高带宽存储芯片(HBM)等AI专用产品的高利润率，三星等主要厂商已战略性削减传统DRAM的产能，进一步收紧了整体市场供应。
这一结构性转变导致DRAM价格持续攀升，供需矛盾日益尖锐。多家全球科技巨头已发出预警，苹果等公司表示，DRAM的严重缺货问题或将在2026年对其产品产量构成实质性限制。
汽车行业也未能幸免。福特公司首席财务官谢里·豪斯近日公开坦言，内存供应受限已对公司的汽车制造造成直接影响，并可能推高终端汽车售价。
如今，全球芯片产业链正面临结构性变革，存储芯片短缺持续加剧，美光科技等企业预测紧缺状况将延续至2026年后，HBM存储芯片年增长率预计超40%。
存储芯片价格持续上涨，行业产值创历史新高，2026年存储器产值预计同比激增134%，三星电子已在第一季度将NAND闪存价格上调超100%，且涨价势头预计延续。DRAM和NAND Flash的价格涨跌幅区间为5.95%-63.43%，存储涨价效应从AI扩散到其他领域，在供给持续收缩趋势下，存储价格涨势仍将持续。
存储芯片全面涨价已经成型，从具体芯片类型来看，HBM与高端DRAM成为存储厂商盈利增长核心。SK海力士HBM销售额同比增长逾一倍，驱动整体业绩创新高；三星电子HBM4芯片已通过英伟达、AMD认证，将于1Q26开始交付。HBM作为AI服务器的核心配套器件，成为头部厂商的业绩增长支柱，AI相关DRAM与NAND产品销量有望持续扩大。
半导体芯片涨价今年或许可以持续很长时间，因为芯片的需求在AI的带动下大面积增长，前景可期。台积电表示，芯片需求将持续保持强劲，预计2026年资本支出将达520亿至560亿美元区间的高位，以美元计的全年营收增幅将超30%。此外，Intel和AMD已通知客户，将全系列服务器CPU上调价格，交货周期显著延长。
半导体的增长趋势可喜，2月以来CPU普遍涨幅在10-15%。AMD多次强调26年CPU已全面售罄，未来3-5年内数据中心业务年增长率或超60%，短期内需求没有任何放缓或停止的迹象。
热门跟贴