国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“用于产生射频场的线圈”的专利，公开号CN121925728A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，根据一些实施方案，提供了一种在半导体制造装置中产生射频(RF)场的线圈。该线圈可包含形成为两匝的管材区段，该两匝被配置成围绕半导体制造装置的等离子体容器，其中管材区段的第二端部朝向管材区段的第一端部弯曲，且其中管材区段的第一端部和管材区段的第二端部相对于该两匝以一定角度弯曲。该线圈可包含附接至管材区段的第一端部的第一端子，其中第一端子被配置成能操作地耦合至RF源。该线圈可包含附接至管材区段的第二端部的第二端子，其中第二端子被配置成能操作地耦合至接地。

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作者：情报员