国家知识产权局信息显示，上海朕芯微电子科技有限公司申请一项名为“一种厚铜功率MOSFET结构及其制备方法”的专利，公开号CN121924787A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种厚铜功率MOSFET结构及其制备方法，半导体晶圆及制备在所述半导体晶圆上的器件，在所述器件上布置有金属沉积层，所述金属沉积层仅覆盖于所述器件的源极、栅极和漏极上。通过使用掩模板进行选择性蒸发在晶圆的正面和/或背面形成金属沉积层，完全避免了在机械强度已急剧下降的薄晶圆上进行光刻工艺。

天眼查资料显示，上海朕芯微电子科技有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海朕芯微电子科技有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息51条，此外企业还拥有行政许可15个。

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作者：情报员