国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于混合接合中的高强度非对称电介质的方法及结构”的专利，公开号CN121926000A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，一种用于半导体装置的在顶表面上具有电介质膜的第一结构可以用于形成由具有减少的电介质表面积及减少的金属柱的节距的混合接合结构所组成的半导体装置。第一结构的电介质膜的顶表面可以混合接合至第二结构的电介质层。第一结构的电介质膜与第二结构的电介质层可以是不同的电介质。通过这种方式，两个结构的混合接合包括不对称电介质的混合接合。

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作者：情报员