国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管”的专利，公开号CN121941164A，申请日期为2024年2月。

专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、位错调控层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，所述位错调控层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的第一三维Si掺GaN层、第二三维Si掺GaN层、第一二维Si掺GaN层和第二二维Si掺GaN层；其中，第一三维Si掺GaN层的厚度为h1，Si的掺杂浓度为C1，其生长温度为T1；第二三维Si掺GaN层的厚度为h2，Si的掺杂浓度为C2，其生长温度为T2；第一二维Si掺GaN层的厚度为h3，Si的掺杂浓度为C3，其生长温度为T3；第二二维Si掺GaN层的厚度为h4，Si的掺杂浓度为C4，其生长温度为T4；h1＜h2＜h3＜h3，C1＜C2＜C3＜C4，T1＜T2＜T3＜T4。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。

天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1646条，此外企业还拥有行政许可61个。

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作者：情报员