国家知识产权局信息显示，成都奥创超磁科技有限公司申请一项名为“一种用于超导磁体的防冲击减振结构”的专利，公开号CN121953022A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明提出了一种用于超导磁体的防冲击减振结构，涉及防冲击减震技术领域。一种用于超导磁体的防冲击减振结构，包括基座和设置于基座上的多个支撑柱，每个支撑柱均包括：沿轴线方向依次连接的第一柱体、第二柱体和弹簧减震器，第二柱体包括支撑壳体、囊体、气体发生器和碰撞触发组件，支撑壳体为与第一柱体适配的柱状体结构，支撑壳体的两端分别与第一柱体和弹簧减震器连接，弹簧减震器设置于基座上，囊体设置于支撑壳体内，气体发生器设置于支撑壳体上，碰撞触发组件设置于支撑壳体内，用于使气体发生器触发，并产生气体使囊体膨胀。该发明能够在发生高强度冲击时，提升超导磁体的防冲击能力，可有效地对超导磁体进行保护。

天眼查资料显示，成都奥创超磁科技有限公司，成立于2021年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本277.7777万人民币。通过天眼查大数据分析，成都奥创超磁科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可1个。

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作者：情报员