国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“用于外延生长中的晶面捕获的半导体处理”的专利，公开号CN121968695A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请涉及用于外延生长中的晶面捕获的半导体处理。在示例中，一种装置包含半导体衬底(102)、底座电介质堆叠(402g，404e)、双极结型晶体管BJT、场效应晶体管FET和复合结构。所述衬底(102)包含BJT区(104)、FET区(110，112)，以及位于所述BJT和FET区(104，110，112)之间的过渡区(106)。所述BJT和FET在所述衬底(102)上分别位于所述BJT和FET区(104，110，112)中。BJT部分(1402)在穿过所述底座电介质堆叠(402g，404e)的开口(1202a)中。所述开口(1202a)至少部分地由逆行侧壁(1302)限定。所述复合结构在所述衬底(102)上位于所述过渡区(106)中，并且包含残余电介质堆叠(402f，404f)、在所述残余电介质堆叠(402f，404f)之上的电介质层(406d)及在所述电介质层(406d)之上的第一材料(902d)。

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作者：情报员