国家知识产权局信息显示，安徽晶隆半导体科技有限公司申请一项名为“一种改善超重掺B衬底双层低阻硅外延片过渡区宽度的外延方法及其外延片”的专利，公开号CN121968662A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善超重掺B衬底双层低阻硅外延片过渡区宽度的外延方法及经该外延方法得到的外延片，方法主要包括在掺B衬底上依次设置P型外延内层、N型缓冲层、以及P型外延外层的步骤。本发明的优点在于，相较于现有直接外延工艺，通过优化外延结构与工艺设计，可显著减少超重掺B衬底中B等杂质向外延层的扩散现象，提升外延层的电学参数稳定性；相较于传统采用P型缓冲层或本征Si缓冲层的外延方案，本发明大幅降低了过渡区的宽度，使过渡区变陡，从而提升元器件的耐压性和电参数一致性。

天眼查资料显示，安徽晶隆半导体科技有限公司，成立于2023年，位于滁州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8000万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽晶隆半导体科技有限公司参与招投标项目11次，此外企业还拥有行政许可76个。

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作者：情报员