国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121969211A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域。本申请提供的半导体器件包括层叠设置的外延层、介质层、渗入阻挡层和欧姆金属层，欧姆金属层依次穿过所述渗入阻挡层和所述介质层，并与所述外延层形成欧姆接触，渗入阻挡层用于阻挡欧姆金属层的构成组分渗入介质层。本申请提供的半导体器件及其制备方法，欧姆接触稳定性高，且可以保证器件的栅源距离Lgs、栅漏距离Lgd和芯片上的引线Loc等尺寸的稳定，提高了器件的耐压等级和长时间应用的稳定性。

天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目62次，专利信息437条，此外企业还拥有行政许可148个。

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作者：情报员