国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有渐变空穴迁移率波导层的氮化镓基半导体激光器”的专利，公开号CN121965294A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明提出了一种具有渐变空穴迁移率波导层的氮化镓基半导体激光器，上波导层和下波导层的SIMS测试In离子强度分布或In原子浓度分布的拟合曲线、价带有效态密度分布的拟合曲线、空穴迁移率分布的拟合曲线均满足ExpGrow1、ExpGrow2、Lorentz、Bradley的任意一种函数分布，改善能带简并度，降低电离杂质、极化电荷与能带弯曲制约，调控重空穴带和轻穴穴带与SO带耦合，提升价带有效态密度，增强粒子数反转与激光增益，进而控制波导层的空穴迁移率分布呈“八”型分布，抑制界面散射与电离杂质散射，提升空穴迁移率和热稳定性，增强空穴输运效率，减少空穴泄漏，改善激光器斜率效率与光功率及老化寿命、温度淬灭比例。

天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息523条，此外企业还拥有行政许可13个。

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作者：情报员