国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“用于外延生长中的小平面抑制或捕获的半导体处理”的专利，公开号CN121968692A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本公开涉及用于外延生长中的小平面抑制或捕获的半导体处理。在实例中，装置包含半导体衬底、位于所述衬底上方的基座电介质堆叠以及位于所述衬底上的BJT。所述基座电介质堆叠在所述基座电介质堆叠的第一子层与第二子层之间的界面处包含氮。开口穿过所述基座电介质堆叠到达所述衬底。所述开口由逆行侧壁至少部分地界定，所述逆行侧壁从远离所述衬底到接近所述衬底逆行到所述基座电介质堆叠中。所述BJT的至少第一部分位于所述衬底的上部表面上和穿过所述基座电介质堆叠的所述开口中。所述BJT的至少第二部分位于所述基座电介质堆叠上方。

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作者：情报员