国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种用于可见光波段的双层氮化硅光栅耦合器”的专利，公开号CN121956244A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种用于可见光波段的双层氮化硅光栅耦合器，由下至上包括衬底、下包层、第一层氮化硅、夹层、第二层氮化硅以及上包层；第一层氮化硅包括第一层氮化硅光栅和氮化硅波导，第二层氮化硅为第二层氮化硅光栅，由下层的氮化硅波导输出，而实现较高的耦合效率。由于可见光波段的原因，第一层氮化硅与第二层氮化硅厚度不超过500nm。双层氮化硅光栅耦合器打破了光栅的垂直对称性，通过两层氮化硅光栅适当位置设置，实现光波高方向性传播，同时通过双层光栅能够提高折射率对比度，提高耦合效率；在不影响光栅周期的前提下，基于两个均匀的全刻光栅制作的双层氮化硅光栅耦合器工艺较为简单。

天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目498次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息853条，此外企业还拥有行政许可47个。

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作者：情报员