国家知识产权局信息显示，微芯片技术股份有限公司申请一项名为“晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN121986569A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一种晶体管，该晶体管可以包括衬底、形成于衬底内在衬底的第一侧处的漏极层。第一阱注入具有第一注入深度，第二阱注入具有第二注入深度，并且第三阱注入具有第三注入深度。第一阱注入、第二阱注入和第三阱注入形成于衬底内在衬底的第二侧处。第二注入深度大于第一注入深度，并且第三注入深度大于第二注入深度。栅极形成于衬底的第二侧处。栅极与第一阱注入重叠第一距离，栅极与第二阱注入重叠第二距离，并且栅极与第三阱注入重叠第三距离。

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作者：情报员