国家知识产权局信息显示，上海深明奥思半导体科技有限公司取得一项名为“一种1T2FC铁电存储单元、存储器阵列及AI芯片”的专利，授权公告号CN224205520U，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本申请提供了一种1T2FC铁电存储单元、存储器阵列及AI芯片。所述1T2FC铁电存储单元包括：硅衬底，所述硅衬底上设有有源器件区；栅极堆叠结构，布设于所述有源器件区上；源极扩散区，布设于所述有源器件区上，且位于所述栅极堆叠结构的一侧；漏极扩散区，布设于所述有源器件区上，且位于所述栅极堆叠结构的另一侧；第一铁电电容器，布设于第一板线与所述栅极堆叠结构之间；第二铁电电容器，布设于第二板线与所述栅极堆叠结构之间；字线，与所述栅极堆叠结构电连接；源线，与所述源极扩散区电连接；位线，与所述漏极扩散区电连接。本申请的1T2FC铁电存储单元，通过采用两个反向极化的铁电电容器和一个核心传感的晶体管，提升了面积效率和信号裕度。

天眼查资料显示，上海深明奥思半导体科技有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本355.8571万人民币。通过天眼查大数据分析，上海深明奥思半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息10条。

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作者：情报员