国家知识产权局信息显示，麦斯克电子材料股份有限公司申请一项名为“一种直径扩增法控制大尺寸单晶硅OISF的方法”的专利，公开号CN121976286A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，一种直径扩增法控制大尺寸单晶硅OISF的方法，涉及半导体材料制备技术领域，将单晶硅棒拉至预设总长度的70‑75%，得到直拉段晶棒；采用放肩工艺使单晶硅棒直径由直拉段晶棒直径扩增至目标直径，得到缺陷控制段晶棒，每次放肩工艺的目标直径与直拉段晶棒直径之差为需要磨削的直径扩增层，直径扩增层对应的直径扩增量为ΔD，ΔD ≥ 2d + C，C为磨削工艺余量，d为OISF缺陷环最大深度；将缺陷控制段晶棒的直径扩增层磨削去除，即得到无OISF的单晶硅棒。本发明通过直径扩增主动将 OISF 缺陷环向晶棒外缘移动，最终通过磨削工艺将包含 OISF 缺陷环的直径扩增部分彻底去除，从物理层面实现了晶棒中后段 OISF 缺陷环的根除。

天眼查资料显示，麦斯克电子材料股份有限公司，成立于1995年，位于洛阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本18505.6088万人民币。通过天眼查大数据分析，麦斯克电子材料股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目535次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息349条，此外企业还拥有行政许可103个。

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作者：情报员