国家知识产权局信息显示，联合微电子中心有限责任公司申请一项名为“应用于射频微系统的硅转接板及其制备方法”的专利，公开号CN121985803A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种应用于射频微系统的硅转接板及其制备方法，在硅衬底上采用大马士革布线工艺和PI布线工艺依次形成多层大马士革布线层和多层有机介质布线层，从而使该硅转接板能够实现TSV盲孔深宽比不小于10:1、布线层数为8层的高密度集成，显著提升了系统的热稳定性和高频性能，为射频－数字一体化微系统提供了更优的工艺平台支撑。且大马士革布线层中的第二互连结构的超细的线宽线距，能有效解决高密度信号互连的瓶颈，并大幅降低传输功耗；而有机介质布线层的存在则能够克服单一大马士革布线层存在的射频损耗大的问题，此外，通过调整有机介质布线层的厚度，能够进一步实现对转接板翘曲的调控，且制备工艺较简单，易于实施，制造成本较低。

天眼查资料显示，联合微电子中心有限责任公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，联合微电子中心有限责任公司参与招投标项目728次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息322条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员