国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“半导体器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN121985814A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：基底，基底上具有接触点；介质层，形成于基底上；接触孔，形成于介质层中，接触孔显露接触点；金属层，形成于接触孔的侧壁及底部；接触孔侧壁金属层的第一厚度与接触孔顶部两侧金属层的第二厚度的比大于0.30，且接触孔侧壁上的金属层的第一厚度大于300纳米。本发明通过控制介质层厚度、接触孔角度、接触孔侧壁金属厚度及其与顶部金属厚度的比例，通过这些结构参数的协同控制，可以有效显著提升金属层侧壁覆盖厚度，降低局部电流密度，从而大幅改善器件的电迁移寿命与可靠性。

天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目131次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1046条，此外企业还拥有行政许可129个。

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作者：情报员