四川大决策投顾：AI引爆供需错配，存储芯片迈入超级成长周期|dram|hbm|服务器

四川大决策投顾摘要：存储芯片行业正迎来由AI算力爆发驱动的超级周期。AI服务器对存储的指数级需求，叠加原厂产能向HBM等高端产品倾斜，导致供需严重错配，价格持续上涨。叠加国产替代加速，行业逻辑已从传统周期属性转向长期高景气成长赛道。

1.存储芯片行业概述

存储芯片是一种用于存储数据和程序的半导体集成电路，是各类电子设备实现数据存储功能的关键部件。存储产品广泛应用于各种消费电子产品、企业级数据中心、云计算平台以及高性能计算系统中。DRAM 与 NAND Flash 仍是半导体存储的主流市场，其中，DRAM市场规模占比约为 55.9%，NAND Flash 占比约为 44.0%。

2.存储芯片产业链

存储芯片产业链呈现垂直分工、技术密集特征。上游为电子化学品（硅片、光刻胶）与核心设备（刻蚀、薄膜沉积），壁垒极高。中游制造是核心，DRAM与NAND Flash市场由三星、美光等IDM巨头主导，专注制程迭代与3D堆叠；NOR Flash及利基型存储则多采用Fabless+Foundry模式。下游需求端，服务器与智能手机为基本盘，AI大模型训练催生的HBM（高带宽内存）正成为行业增长最快的细分赛道，主导本轮景气上行。

3.存储市场周期性特征较为显著，当前处于周期上行期

当前存储芯片有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期。本轮存储行业的上行周期，主要由AI需求拉动、存储技术迭代进一步加速、供给端产能调控策略升级等因素共同驱动，持续性或更强。一是需求拉动力更强，历史周期以手机、电脑等消费终端为核心驱动力，消费终端疲弱将削弱上游存储需求，而本轮周期则由AI需求拉动，尽管同期传统消费终端出货疲弱,但AI终端设备加速渗透，需求持续旺盛。二是存储技术迭代进一步加速，匹配AI算力的HBM产品由DRAM技术升级迭代而来，并迅速迭代至HBM3E、HBM4等，技术代差导致高端产品溢价持续扩大，存储厂商调控产能优先满足高端产品需求的意愿更强。三是供给端产能调控策略升级，历史周期主要由供给端厂商减产去库存以推动供需平衡，本轮周期中供给端产能调控策略升级，存储厂商主动调控产能至高端领域，导致中低端产品供应缺口加大。由于AI发展浪潮持续推进，需求端景气高企，而短期内供给端新增产能有限，供需缺口有望维持，因此本轮存储行业涨价持续性或更强。

4. AI需要爆发，存储价格持续上涨

AI 产业正从模型训练迈向规模化推理应用，对服务器实时响应与数据存取效率提出更高要求，驱动高容量、高带宽 DRAM 需求快速增长，单机搭载容量同步攀升。同时，英伟达在 Vera Rubin 平台中进一步强调高效能存储，推动企业级 SSD 重要性提升。此外，经历存储周期低谷，存储厂商产能扩张有限，在此背景下，存储价格自 25 年三季度末开启又一轮涨价周期。根据 CFM 闪数据，25 年 9 月至 26 年 4 月 NAND 价格指数上涨 370%，DRAM 价格指数上涨 376%。