AI 浪潮席卷全球, generative AI 对算力的需求呈指数级爆发,GPU 与 AI 加速器全面缺货已成行业共识。而卡住 AI 芯片量产咽喉的,并非 5nm 先进制程本身,而是将逻辑芯片与高带宽内存(HBM)整合的CoWoS 先进封装。
这场产能争夺战已蔓延至全供应链,台积电紧急扩产、三星 / 英特尔 / 日月光等争相入局,28 家上游供应商迎来命运大分化:有人赚得盆满钵满,有人被技术迭代直接淘汰,还有人被市场严重高估。本文基于供应链核心数据,完整拆解 CoWoS 与 HBM 的产业链逻辑,看清 AI 封装时代的真正赢家。
一、CoWoS:AI 芯片的「黄金封装」,为何不可替代?
CoWoS 是台积电独家的2.5D 先进封装技术,也是当前高端 GPU、AI 训练 / 推理芯片的标配封装方案。它的核心逻辑很简单:将逻辑芯片(如 GPU)与多颗 HBM 堆叠芯片,通过一颗无源硅中介层集成在一起,再连接到封装基板上。
硅中介层相当于芯片间的「高速布线板」,解决了多芯片间的通信带宽与延迟问题;
相比传统封装,CoWoS 能让 HBM 与逻辑芯的数据传输速度提升数倍,完美匹配 AI 大模型的算力需求;
英伟达 H100、AMD MI300 等旗舰 AI 芯片,均依赖 CoWoS 量产,这也是 GPU 缺货的核心原因 —— CoWoS 产能严重不足 ,缺口将持续到 2024 年 Q2。
简单说:没有 CoWoS,再先进的 AI 逻辑芯和 HBM,都无法拼成一颗能用的高端 AI 芯片。
二、三步看懂 CoWoS 制造:每一步都卡着供应链命门
CoWoS-S(主流版本)的制造分为三大核心环节,环环相扣,任何一步的设备 / 材料短缺,都会导致整体产能受限。
1. 硅中介层制造:封装的「核心骨架」
这是最复杂的环节,类似晶圆前道制造,核心是做TSV 硅通孔与RDL 重布线层:
先在硅片上刻蚀高深宽比的 TSV 通孔,填充铜实现垂直导电;
再叠加多层 RDL 布线,连接不同芯片;
最后制作铜柱凸点,为后续贴装芯片做准备。
将筛选好的已知合格芯片(KGD)(逻辑芯 + HBM)通过倒装焊工艺贴到硅中介层上,填充树脂保护微凸点,再封装打磨。
3. 基板封装(Wafer on Substrate)
将中介层背面植球、切割,最终贴装到高密度互连(HDI)基板上,完成整个封装流程。
三、供应链大洗牌:28 家供应商里,三类命运截然不同
AI 封装扩产潮下,并非所有环节都能受益。我们从受益程度、技术卡位、市场预期三个维度,把供应商分为核心赢家、被高估 / 无影响、直接淘汰三类。
最大赢家:制程控制设备(Camtek、Onto)
这是唯一被 AI 封装彻底引爆的环节,没有之一。
核心逻辑:CoWoS 封装成本极高(HBM 成本甚至超过 5nm 逻辑芯),一旦出现缺陷,整颗芯片报废, 检测与量测成为 yield 核心 ;
市场格局:Camtek、Onto 垄断先进封装检测,KLA 份额极低;
订单爆发:Camtek 手握三星、SK 海力士、台积电的大额订单,仅 HBM 相关就拿下 42 台设备;Onto 凭借先进封装 + GAA 逻辑双赛道,增速远超行业平均。
这些环节被市场热炒,但实际受益微乎其微:
- 测试环节
虽 AI 芯片测试强度提升,但行业平均测试成本仅占芯片成本的 2%-3%,即便英伟达 H100 提升至 3%,对爱德万(Advantest)、FormFactor 的业绩拉动有限;且英特尔服务器需求下滑,还会拖累 ATE 设备需求。
打开网易新闻 查看精彩图片 - 倒装焊键合机
即便 CoWoS 产能翻倍,倒装焊的资本开支仅 不到 2500 万美元 ,BESI、ASMPacific 等厂商分食后,几乎无业绩弹性。
- 刻蚀 / 沉积设备
泛林半导体、应用材料虽有布局,但先进封装业务仅占其总营收的零头,完全无法撼动主业。
SK 海力士的 HBM 工艺革新,直接把 Veeco 踢出供应链:
传统 HBM 用 TC-NCF 工艺,依赖 Veeco 湿法清洗设备;
新一代 12 层 HBM 采用 MR-MUF 新工艺 ,无需助焊剂,Veeco 的湿法设备彻底失去份额;
随着三星、美光跟进,Veeco 将完全退出 HBM 供应链,损失超 20% 营收。
短期是赢家,长期被 CoWoS 反向替代:
短期:英伟达独家供应商 Ibiden 产能爆满,味之素(ABF 膜)需求激增;
长期:CoWoS 硅中介层承担了大部分布线功能, 降低了对高端基板的密度需求 ,未来 CoWoS-L 等技术会进一步挤压基板市场。
DISCO 垄断晶圆减薄、切割设备,受益于 CoWoS 扩产,但股价已提前反应 130%+ 涨幅,后续空间有限。
四、HBM 迭代加速:工艺革新再改供应链格局
HBM 从 3 代向 4 代升级,层数从 12 层迈向 16 层,供应链将再次洗牌:
- 12 层 HBM
SK 海力士 MR-MUF 批量工艺成为主流,产能、良率大幅提升;
- 16 层 HBM
必须采用 铜铜混合键合 ,ASM Pacific、应用材料将成为新赢家;
头部厂商卡位:SK 海力士当前领跑 HBM,三星、美光紧追,设备订单向头部存储厂集中。
此前英伟达因 CoWoS 产能短缺被迫抢单,如今台积电已锁定英伟达优先产能,直接排挤三星、Amkor / 联电等竞争对手。
H100 虽有价格波动,但新一代产品迭代会重新拉高均价;
英伟达的订单量远超市场预期,CoWoS 产能将长期向其倾斜。
AI 算力的竞争,早已从「制程竞赛」转向「封装竞赛」。CoWoS 与 HBM 的供应链分化极为清晰:只有卡位核心制程、解决 yield 痛点的环节,才是真赢家。制程检测(Camtek、Onto)、HBM 新工艺设备是当前最确定的赛道;而测试、倒装焊等环节,不过是市场的虚假狂欢。
随着 AI 封装持续扩产、HBM 不断迭代,这场供应链的洗牌还将继续,技术卡位能力,将成为决定厂商命运的唯一标尺。
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