东友精细化工申请清洁组合物和使用其制造半导体器件的方法专利,该清洁组合物可以对于通过高能工序转化的光刻胶残留物具有高清洁能力
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国家知识产权局信息显示,东友精细化工有限公司申请一项名为“清洁组合物和使用其制造半导体器件的方法”的专利,公开号CN121991770A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本发明涉及一种清洁组合物和使用其制造半导体器件的方法。根据本发明实施方式的清洁组合物包含氟基化合物;有机酸盐化合物;无机酸化合物;以及水,其中,基于所述组合物的总重量,水的含量为至少50重量%,所述清洁组合物具有0.5~4的pH。该清洁组合物可以对于通过高能工序转化的光刻胶残留物具有高清洁能力,而且不蚀刻包含金属(例如Mo、W、Ru等)的布线以及例如氧化硅层和氮化硅层的层。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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