国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“晶体管及其制作方法”的专利，公开号CN122002838A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种晶体管及其制作方法。该晶体管包括：超晶格结构、第一介质层、源极、漏极和鳍式栅极；超晶格结构包括多个周期交替层叠的沟道层和势垒层；超晶格结构包括两个第一凹槽、多个第二凹槽和一个第三凹槽；源极和漏极位于超晶格结构的顶面在第一方向a上的相对两侧，并且分别插设在两个第一凹槽中；第一介质层覆盖超晶格结构的顶面、多个第二凹槽和第三凹槽；鳍式栅极位于第一介质层上，并且分别插设在多个第二凹槽中；第三凹槽的开口位于超晶格结构的顶面，第三凹槽的底部位于最靠近超晶格结构的顶面的沟道层中；第三凹槽位于鳍式栅极和漏极之间，且沿第二方向b贯穿超晶格结构，第二方向b与第一方向a相交。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目31次，专利信息129条，此外企业还拥有行政许可111个。

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作者：情报员