国家知识产权局信息显示，深圳市鹏新旭技术有限公司申请一项名为“一种半导体器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN122002902A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，半导体器件结构包括衬底、第一晶体管及第二晶体管、两个公共侧墙，第一晶体管设置于衬底上，第二晶体管设置于第一晶体管上，第一晶体管及第二晶体管之间设置有隔离层，第一晶体管包括第一栅极及第一沟道区，第一栅极设置于第一沟道区，第二晶体管包括第二栅极及第二沟道区，第二栅极设置于第二沟道区；两个公共侧墙相对设置于衬底上，第一沟道区与第二沟道区在垂直于衬底的方向上对位设置，且位于两个公共侧墙之间；本申请能够提高第一晶体管及第二晶体管在垂直于衬底的方向上的对准精度，因此，降低堆叠式半导体器件结构的制备难度。

天眼查资料显示，深圳市鹏新旭技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏新旭技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可288个。

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作者：情报员