第1名：光刻机（EUV / 先进DUV）

难度：★★★★★ 天花板

​全球垄断：ASML 阿斯麦

​国内现状：仅上海微电子90nm，先进制程完全空白

​中美差距：10年以上

​一句话：芯片工业皇冠上的明珠，最难没有之一

第2名：量测设备（前道量测+缺陷检测）

难度：★★★★☆

​全球垄断：科磊 KLA（独占全球55%）

​国内现状：国产化率 1%～3%

​中美差距：6～10年

​原理：原子级显微镜+AI识别，精度到0.1纳米

第3名：涂胶显影设备

难度：★★★★

​全球垄断：东京电子 TEL（垄断90%+）

​国内现状：芯源微唯一突破

​中美差距：7～9年

作用：光刻前涂胶、光刻后显影，光刻机的“搭档”

第4名：离子注入机

难度：★★★☆

​ 全球垄断：应用材料、Axcelis

​国内现状：万业企业（凯世通）

​中美差距：5～7年

作用：给硅片“掺杂”，决定芯片导电性能

第5名：刻蚀设备（先进制程）

难度：★★★

​全球龙头：泛林 LRCX、应用材料

​国内龙头：中微公司、北方华创

​中美差距：3～5年

​特点：国产突破最快、最成熟的高端设备

第6名：薄膜沉积（PECVD/ALD）

难度：★★★

​全球龙头：应用材料

​国内龙头：北方华创、拓荆科技

​中美差距：4～6年

总结∶

1. 光刻机 → 张江高科

​2. 量测 → 中科飞测

​3. 涂胶显影 → 芯源微

​4. 离子注入 → 先导基电

​5. 刻蚀 → 中微公司、北方华创

​6. 沉积 → 北方华创、拓荆科技