一天吃透一个行业134：存储芯片，附核心股票名单（收藏版）——15年最大供需缺口，涨价贯穿2026|dram|利基型|美光|闪存

来源：市场资讯

（来源：券研社）

一、存储芯片是什么？——AI时代的“数字油库”

2026年，全球半导体产业进入“算力决定上限、存储决定下限”的全新竞争阶段。存储芯片是电子设备的“数字油库”——数据的存储与读取依赖它完成。在AI大模型时代，算力越强，对存储的依赖就越深。存储芯片主要分为两大类：DRAM（动态随机存取存储器，相当于计算机的“工作台”）和NAND Flash（闪存，相当于“档案库”）。

核心定位：2026年存储芯片已非周期性商品，而是AI基础设施的核心战略资产。高盛研报指出，市场正处于过去15年来最严重的存储芯片供应短缺前夜——2026年全球DRAM市场供需缺口达4.9%，NAND Flash缺口达4.2%，AI核心配件HBM缺口更高达5.1%，均为2011年以来最高水平。

政策定调：2026年，芯片行业从单纯的“补短板”全面升级为“新兴支柱产业”，位列国家重点打造的新兴支柱产业首位。2026年《政府工作报告》部署任务时强调“发挥新型举国体制优势，推动国产芯片从‘可用’迈向‘好用’”，大基金三期3440亿元资金聚焦存储芯片、AI芯片、光刻机等“卡脖子”环节。

二、核心驱动逻辑

1. AI需求爆发，存储成“算力瓶颈”外的最大受益者

2025年全球DRAM/NAND市场规模达2216亿美元，同比增长33%；2026年有望突破6000亿美元，行业由消费电子周期转向AI算力与服务器主导。存储总营收将从2025年的2260亿美元激增至2026年的5947亿美元，并预计在2027年进一步攀升至7904亿美元。

2. 供需缺口创近15年新高，涨价贯穿全年

全球三大原厂（三星、SK海力士、美光）2026年均未启动大规模扩产，产能增量极为有限，产值增长几乎完全由单价提升驱动。DRAM综合合约价季度环比涨幅达50%-60%，NAND合约价季度环比涨65%-70%。中信证券坚定判断：供不应求将持续至2027年，涨价贯穿2026年全年。

3. HBM开辟百亿美元新赛道，重塑行业格局

HBM（高带宽内存）是AI芯片的“黄金搭档”，全球HBM市场从2025年的380亿美元增长至2026年的580亿美元。JEDEC于2025年4月发布官方HBM4规范，接口宽度翻倍至2,048位，单堆栈带宽可达每秒2TB。

4. 国产存储“史诗级”扩产，国产替代进入深水区

长江存储2026年全球NAND市占率约11.8%，与闪迪持平；2026年Q1收入超200亿，同比翻倍。长鑫存储2026年全球DRAM市占率有望升至15%-20%。中国存储芯片自给率已从不足5%快速提升至约25%，有望在2028年达到30%。

5. 机构核心判断

中信证券：存储行业供不应求将持续至2027年，涨价贯穿2026年全年，坚定看好存储产业趋势。

招商证券：2026年AI从训练转向推理的历史拐点，推理算力需求爆发式增长，带动存储主控芯片向智能加速赋能转型。

天风证券：国产AI链业绩全面超预期，全产业链景气度得到印证，关注存储、设备材料、封测等高景气度环节。

三、存储芯片产业链全景图

存储芯片产业链全景图

├─ 【上游：设备 & 材料】

│ ├─ 设备：北方华创 | 中微公司 | 华海清科 | 拓荆科技 | 盛美上海

│ └─ 材料：安集科技 | 沪硅产业 | 华特气体 | 上海新阳 | 江化微

├─ 【中游：晶圆制造】

│ ├─ 全球原厂：三星 | SK海力士 | 美光 | 铠侠 | 西部数据

│ └─ 国产原厂：长江存储(NAND) | 长鑫存储(DRAM)

├─ 【中游：封测 & 模组】

│ ├─ 封测：通富微电 | 长电科技 | 华天科技 | 深科技

│ └─ 模组：江波龙 | 佰维存储 | 德明利 | 大普微(IPO中) | 朗科科技

├─ 【中游：Fabless 设计】

└─ 【下游：应用场景】

四、六大核心场景与全产业链标的

场景一：AI服务器/HBM——存储市场“皇冠上的明珠”

核心逻辑：AI大模型对显存带宽和容量的需求呈指数级增长，HBM是AI算力芯片的标配。

市场数据：全球HBM市场规模2026年预计达580亿美元。美光预计2028年HBM总潜在市场将达到1000亿美元，CAGR约40%。

最新进展：

江波龙（301308）：企业级存储业务2025年实现收入17.83亿元，同比增长93.30%，eSSD、RDIMM产品完成鲲鹏、海光、飞腾等国产服务器CPU平台全兼容适配。2026Q1营收99.09亿元，持续高增长

大普微（IPO过会）：国内专注企业级SSD第一股，国内极少数具备“主控芯片+固件算法+模组”全栈自研能力

佰维存储（688525）：企业级SSD已进入多家互联网头部供应体系，实现PCIe SSD、SATA SSD批量供货

场景三：利基型存储设计——国产替代的“隐形冠军”

核心逻辑：AI算力等需求持续挤占利基型存储（NOR Flash、EEPROM、SLC NAND）产能，中小容量存储芯片供需紧张，国内设计公司占领细分市场。

代表标的：

兆易创新（603986）：NOR Flash全球市占率20.4%（全球第二），业务覆盖NOR Flash、DRAM及MCU，2025年存储芯片营收同比增长约26.41%，45nm SPI NOR Flash率先大规模量产

北京君正（300223）：车规级存储全球领先，SRAM、DRAM、NOR Flash在全球车规存储市场占据重要地位；存储芯片业务2025年营收29.11亿元，占整体61.4%，车规DRAM 2026年涨价后毛利率持续提升

普冉股份（688766）：2025年Q1营收14.47亿元，同比增长256.08%，归母净利润同比增长1259.87%——AI存储超级周期兑现业绩高增长

东芯股份（688110）：A股稀缺的中小容量SLC NAND平台型设计公司，车规级SLC NAND、NOR Flash、MCP产品稳步通过AEC-Q100验证

聚辰股份（688123）：全球第二大EEPROM供应商，率先推出配套下一代DDR5的VPD芯片，成为首家进入全球领先存储厂商设计验证的开发商；2025年营收12.21亿元，同比增长18.77%

场景四：存储模组——业绩弹性最大的“价值放大器”

核心逻辑：存储模组厂商手握涨价周期中最大业绩弹性，营收及净利润增速在各细分环节中最为突出，同时部分模组厂正向晶圆级先进封测及自研主控方向延伸。

五、核心股票名单（分环节梳理）

1. 存储原厂与晶圆制造

公司（代码）

核心看点

关键数据

长江存储（未上市）

NAND Flash国产闪存制造龙头，2026年全球市占约11.8%

Q1营收超200亿同比翻倍，武汉第三工厂预计2026年底运营

长鑫存储（IPO申请中）

DRAM国产制造龙头，主攻DDR5/LPDDR5X/HBM

上海基地规划月产能40-60万片，全球市占目标15%-20%

2. 存储设计

公司（代码）

核心看点

关键数据

兆易创新(603986)

NOR Flash全球第二（市占率20.4%），45nm SPI NOR率先量产，同时布局DRAM/MCU

存储芯片2025年营收同比+26.41%，港股IPO推进中

北京君正(300223)

全球车规存储龙头，SRAM/DRAM/NOR全线布局，车规DRAM 2026年提价

存储业务2025年营收29.11亿元，占整体61.4%

普冉股份(688766)

利基存储设计（NOR/EEPROM），业绩弹性极大

2026Q1营收14.47亿元，同比+256.08%；净利润+1259.87%

东芯股份(688110)

中小容量SLC NAND平台型设计公司，车规产品稳步验证

车规产品通过AEC-Q100验证，2026年受益涨价通道

聚辰股份(688123)

全球第二大EEPROM供应商，DDR5 SPD龙头

2025年营收12.21亿元，同比+18.77%

澜起科技(688008)

内存接口芯片全球领先，深度受益DDR5渗透率提升

互联/接口芯片龙头，AI服务器需求拉动

3. 存储模组

公司（代码）

核心看点

关键数据

江波龙(301308)

企业级SSD国产品牌第一，“eSSD+RDIMM”双轮驱动

2025年营收227.66亿元，归母净利+185.41%；2026Q1营收99.09亿元

佰维存储(688525)

模组+封测+主控一体化布局，覆盖多种AI存储场景

2025年研发6.32亿元（+41.34%）；2026Q1归母净利预计为2025全年1.7-2.1倍

德明利(001309)

自主可控主控芯片核心技术，主控与模组协同

2026Q1营收环比+82.5%，毛利率环比提升30.3个百分点

大普微（IPO过会）

国内专注企业级SSD第一股，全栈自研主控+固件+模组

稀缺的国产企业级SSD全自研标的

4. 先进封测

公司（代码）

核心看点

关键数据

通富微电(002156)

深度绑定AMD，获取其80%以上封测订单，受益HPC封装需求

先进封装订单饱满，AI需求爆发直接受益

长电科技(600584)

全球第三大封测厂，HBM封测核心厂商

AI存储封装领先布局，深度受益存储涨价扩产

深科技(000021)

老牌存储芯片封测企业，业务稳定

封测业务随存储行业景气度回升而增长

佰维存储(688525)

（同上）同步推进晶圆级先进封测项目

预计2026年底月产能5000片，2027年底达1万片；自研eMMC主控SP1800已量产

5. 设备与材料

公司（代码）

核心看点

关键数据

中微公司(688012)

刻蚀设备龙头，存储领域超高深宽比刻蚀全球领先，90:1设备已验证

累计超8300个反应台量产，2026Q1营收29.15亿元（+34.13%）

北方华创(002371)

全品类半导体设备平台龙头，存储产线核心设备供应商（刻蚀、薄膜、热处理）

2026年1月股价刷新历史新高，大基金三期核心受益

华海清科(688120)

国内CMP装备绝对龙头，覆盖率最高

累计出机超800台，全面覆盖3D NAND/DRAM产线

拓荆科技(688072)

国产PECVD/ALD薄膜沉积龙头

存储芯片涨价带动扩产，设备需求持续旺盛

安集科技(688019)

国内CMP抛光液龙头，全球市占率约10%

3D NAND堆叠层数增加驱动抛光液用量持续增长

沪硅产业(688126)

国产大硅片龙头，存储晶圆制造核心上游材料

直接受益于长江存储、长鑫存储扩产

6. 重要分销/代理渠道

公司（代码）

核心看点

关键数据

香农芯创(300475)

SK海力士国内核心代理商，深度受益存储涨价

2026Q1营收环比+168.5%，企业级存储全年增长40%以上

六、2026年核心趋势

涨价贯穿全年，供需缺口创纪录：高盛测算2026年全球存储芯片整体供需缺口达4%-5%，为2011年以来最高，涨价确定性极强。

AI从训练转向推理，存储需求从量变到质变：2026年AI产业从训练转向推理，推理算力需求爆发式增长带动存储主控芯片向智能加速赋能转型。

国产存储“史诗级”扩产：长鑫存储上海基地将产能提升至合肥总部的2-3倍，主攻高端DDR5、LPDDR5X及HBM3X芯片；长江存储武汉第三工厂预计2026年底运营，2028年全球市占有望提升至15%。

国产设备替代进入“深水区”：长江存储新厂超50%设备来自中国本土供应商，涵盖芯片层垂直堆叠等工艺的关键设备；大基金三期3440亿元资金密集投向设备材料领域。

模组厂商业绩爆发式增长：存储模组环节展现出最强的业绩弹性——江波龙2025年归母净利润同比增长185.41%，佰维存储以最高同比增长520%领跑。

先进封装产能扩张：随着HBM及高性能计算的推进，2.5D/3D先进封装需求激增，晶圆级封测项目密集投产。

七、投资主线总结

投资主线

核心逻辑

代表公司

HBM/AI服务器存储

百亿美元新赛道，涨价供需逻辑最强

江波龙、佰维存储、通富微电

利基型存储设计

中小容量产能被AI挤占，国产替代黏性高

兆易创新、北京君正、普冉股份

存储模组

周期弹性最大，业绩释放最快

江波龙、佰维存储、德明利

先进封测

HBM及高性能算力封装升级刚需

通富微电、佰维存储

设备及材料

大基金三期重点投入，国产替代最低渗透率

中微公司、华海清科、安集科技

车规存储

汽车电动化智能化升级，涨价周期更长

北京君正、聚辰股份

国产存储原厂

自主可控最强逻辑，估值重塑空间大

长鑫存储(IPO)、长江存储(未上市)

八、核心风险提示

风险类型

影响程度

存储涨价幅度不及预期或2027年提前见顶，前期存货成本高企

⚠️ 高

全球原厂2027年集中开出新产能，可能打破供需格局

⚠️ 高

HBM技术迭代加速（HBM4→HBM4e→HBM5），国内尚处追赶初期

⚠️ 中

国产替代进程受国际贸易摩擦等外部因素影响

⚠️ 中

部分标的短期概念炒作过热，业绩尚未充分兑现

⚠️ 中

九、一句话核心逻辑

2026年，存储芯片正从“周期性商品”蜕变为“AI时代的战略资产”——全球供需缺口创近15年新高（DRAM缺口4.9%/NAND缺口4.2%/HBM缺口5.1%），2026年市场规模有望突破6000亿美元，涨价贯穿全年。六条核心赛道形成差异化卡位：长江存储NAND全球市占约11.8%（Q1营收超200亿翻倍）、长鑫存储DRAM上海工厂产能冲刺40-60万片，国产化自给率从5%快速提升至25%，模组厂江波龙2025年归母净利润暴增185%，主控模组龙头德明利2026Q1营收环比暴增82.5%，利基存储龙头普冉股份净利润同比暴增1259.87%，国产设备龙头中微公司360°刻蚀全面覆盖存储产线累计8300个反应台量产。存储芯片，正从“锦上添花”进化为中国数字经济的安全底座与价值引擎。

注：股市有风险，投资需谨慎。以上仅为产业链梳理，基于公开信息及机构研报整理，不构成直接投资建议