据韩国媒体ETNews报道，三星电子DS事业部正在商讨恢复对下一代半导体的研发和投资，重点包括第十代NAND闪存、碳化硅等化合物半导体以及先进封装和基板技术。该公司认为其存储器业务的基本竞争力已恢复到一定水平，因此计划重启此前被搁置的“未来增长引擎”相关创新工作。

三星电子已重启关于第十代NAND（V10）的投资。V10是一种堆叠层数达到400层的NAND闪存产品。由于层数显著增加，垂直堆叠存储单元之间用于信号交换的通道孔必须更深，为此三星将采用低温蚀刻技术，目前正处于低温蚀刻设备供应商选择的最后阶段。

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作者：行舟