国家知识产权局信息显示，绍兴芯链半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于光掩模的铬膜及其制备方法”的专利，公开号CN122013126A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于光掩模的铬膜及其制备方法，该制备方法包括：对基板进行预处理；在预处理后的基板上沉积过渡层；对所述过渡层进行含氧等离子体界面活化；在经活化处理后的过渡层上低温沉积铬主功能层并调控应力，以获得铬膜；以及进行后处理，以稳定所述铬膜结构与应力。该铬膜包括：基板，其为铬膜的支撑载体；铬主功能层，其为光掩模实现光刻的载体，所述铬主功能层设于所述基板上；以及过渡层，其被配置为实现所述基板与铬主功能层的高结合和应力缓冲，所述过渡层设于所述基板与所述铬主功能层之间。本发明根本性降低膜层应力，在超低温下实现超高结合力，同步提升图形精度与均匀性。

天眼查资料显示，绍兴芯链半导体科技有限公司，成立于2022年，位于绍兴市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本11819.932144万人民币。通过天眼查大数据分析，绍兴芯链半导体科技有限公司参与招投标项目33次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息52条，此外企业还拥有行政许可11个。

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作者：情报员