2026年5月12日，美光正式宣布，该公司已开始向主要服务器生态系统合作伙伴提供基于其最新1-gamma工艺的256GB DDR5注册双列直插式内存模块（RDIMM）样品。
该256GB DDR5 RDIMM采用先进的封装技术，通过硅通孔（TSV）技术实现3D堆叠（3DS）多颗内存芯片，结合美光领先的1-gamma DRAM工艺，最高传输速率可达9200 MT/s，比目前量产中的同类DDR5模块速度提升超40%。1-gamma工艺是美光最新一代DRAM制造技术，较前代工艺在密度、速度和能效上均实现显著跃升，为数据中心级高负载应用提供了更强大的底层硬件支撑。
美光方面表示，一颗256GB模块相比使用两颗128GB模块的传统方案，可将运行功耗降低超40%，大幅提升现代AI数据中心的整体能效表现。在AI训练和推理对内存容量与带宽需求持续激增的背景下，这一功耗优势尤为重要，能够帮助数据中心在有限的功耗和散热预算内，部署更多高性能服务器节点。
近年来，大型语言模型（LLM）、智能体AI（Agentic AI）、实时推理以及高核心数CPU/GPU工作负载的迅猛迭代，正深刻重塑数据中心的内存架构需求。传统内存容量已难以支撑万亿参数级模型训练和多模态AI应用等高性能场景的需要。高带宽、低延迟、大容量的内存配置，成为制约AI性能进一步提升的关键瓶颈之一。
美光256GB DDR5 RDIMM精准切中这些行业核心痛点，它不仅大幅提升单插槽内存容量，还在保持高传输速度的同时优化了功耗表现，帮助服务器架构师、超大规模云服务运营商以及平台合作伙伴在每颗CPU插槽内实现内存容量的最大化。同时严格控制在现代数据中心的热设计功率（TDP）和能耗限制范围内。这对于构建高效、可持续的绿色AI数据中心具有至关重要的现实意义。
目前，美光正与全球领先的服务器平台供应商展开紧密协作，在现有及下一代服务器平台上对这款256GB 1-gamma DDR5 RDIMM进行全面兼容性验证。该联合验证工作旨在确保产品在不同服务器架构下的广泛兼容性，并进一步加速AI与高性能计算（HPC）客户的大规模部署进程。
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