众所周知，目前中国已掌握的最先进的芯片技术是7nm工艺，并且这个7纳米工艺是采用浸润式duv光刻机制造出来的，采用多重曝光技术，我们被美国限制住了，买不到EUV光刻机。
相对应的，像台积电因为有EUV光刻机，今年要大规模制造2nm芯片了；intel也有EUV光刻机，已经量产了1.8nm的18A工艺，三星也有EUV光刻机，量产了2nm芯片了。
所以从表面上来看，从7nm到2nm，中间还隔有5nm、3nm这两档工艺，相当于落后2代。而如果划的更细致一点的话，还有6nm（其实是7nm的加强版），还有4nm（是5nm的加强版）。
不过，如果大家只盯着这个XX纳米来评论芯片工艺水平，可能就是太肤浅了。
事实上，长期以来已经有很多的专家表示，不同的厂商之间不能以多少纳米来评定其先进程度，因为很多厂商的芯片工艺其实是有注水的。
最近，有人就举了一个例子，那就是三星采用EUV光刻机，制造出来的4nm芯片，其实与中国采用DUV光刻机多重曝光制造出来的7nm工艺，差不多的。
从晶体管密度来看，三星的4nm工艺与中国的7nm工艺差不太多，从性能来看，也是如此，大家可以去对比一下三星的4nm的芯片，与国产的7nm工艺，也是差不多的。
然后三星的4nm工艺良率非常低，且发热更吓人，发热都控制不太好，最后吓的高通们都赶紧转单了，而我们采用的7nm工艺的芯片，良率不错，反正功耗控制的不错，比如华为后来推出的一系列麒麟芯片，用在华为的旗舰手机上，操作非常流畅，性能强，发热低。
所以，从实际上来看，中国的芯片技术，已经实现了追赶，现在唯一缺少的就是euv光刻机了，一旦我们拥有了EUV光刻机，追上并超过三星，可能真不是太大的难事。
当然，也有人会说，采用浸润式DUV一样可以制造5nm、4nm芯片。
这在理论上是可以的，但是在现实中要这么干，可能有点困难，因为更多重的曝光，意味着生产效率的降低，然后成本的增加，并且增加曝光次数，会导致良率的下降，小批量的制造应该是没有问题，但如果要大规模的商业制造，这样的成本是扛不住的。
而从这些事件也说明一个问题，那就是在芯片领域，技术和人才对一家企业而言是多么的重要。
三星为何现在这么拉垮了，其实主要是因为芯片大神梁孟松离开了三星，加入了中芯国际。所以三星的技术越来越差，相应的则是中芯的技术越来越强，有了梁孟松的加持，哪怕采用DUV制造7nm芯片，也不输给三星有EUV的4纳米。
所以大家不妨大胆的猜测一下，一旦国产的EUV光刻机突破，中国芯片技术会一下子冲到什么程度？
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