很多人一聊起芯片，第一反应就是看数字。
台积电今年要量产2nm了，Intel搞出了1.8nm，三星也拿下了2nm。回头再看看咱们自己，目前最先进的还是7nm，而且是用浸润式DUV光刻机、靠多重曝光技术硬啃下来的。这么一算，中间还隔着5nm、3nm，足足落后两代，要是再把6nm、4nm这些加强版算上，差距就更大了。
听起来是不是挺让人着急的？
但你要是真盯着这个“XX纳米”来评判谁强谁弱，可能就有点被数字忽悠了。其实业内早就有不少专家说过，不同厂家之间的纳米数字，不能直接划等号，因为这里面“注水”的情况不少。
最近就有人拿三星举了个例子，挺有意思的。三星可是有EUV光刻机的，人家正儿八经造出了4nm芯片。可你要是把三星的4nm和咱们用DUV光刻机搞出来的7nm放到一起比一比，结果可能会让你有点意外——两者在晶体管密度上其实差不太多，实际性能表现也基本在一个水平线上。
更尴尬的是什么呢？三星那个4nm，良率低得吓人，发热还特别厉害，功耗控制得一塌糊涂。当年高通都被它坑得不轻，最后实在扛不住了，赶紧把订单转给了台积电。反观咱们的7nm，良率稳稳当当，功耗控制得也不错。你看看华为后来出的那些麒麟芯片，用在旗舰手机上，操作流畅得很，性能够用，发热也不大，用户口碑一直挺好。
所以说，别看数字上差了两三代，实际用起来还真不一定谁输谁赢。
当然，有人可能会问，既然DUV光刻机能搞出7nm，那接着往下做5nm、4nm行不行？理论上确实可以，继续往上叠多重曝光次数就行。但问题是，现实中这么干难度很大。
每多一次曝光，生产效率就往下掉一截，成本蹭蹭往上涨，关键是良率也会跟着往下滑。小批量造几颗样品可能没问题，但要大规模商业化量产，那个成本和良率谁都扛不住。
从这些事里头其实能看明白一个道理：在芯片这个行当，技术和人才才是真正的命根子。
三星这几年为啥越混越拉胯？很多人心里都有数，就是因为芯片界的“大神”梁孟松离开了三星，后来加入了中芯国际。
他前脚走，三星的技术后脚就开始掉链子；他到了中芯国际之后，咱们这边的技术肉眼可见地在往上走。哪怕是用DUV光刻机做7nm，做出来的东西也不输给三星用EUV做的4nm。
所以，与其光盯着那个纳米数字发愁，不如想想另外一个问题——一旦咱们自己的EUV光刻机突破了，中国芯片技术能一下子冲到什么程度？这个想象空间，可就大多了。
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