来源：新浪证券-红岸工作室

5月17日消息，国家知识产权局信息显示，江苏微导纳米科技股份有限公司申请一项名为“晶圆对中机构、晶圆加热系统以及晶圆对中方法”的专利，授权公告号CN119133055B，授权公告日为2026年5月15日。申请公布号为CN119133055A，申请号为CN202410694891.9，申请公布日期为2026年5月15日，申请日期为2024年5月30日，发明人吴刘兴、石帅、嵇晨阳，专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司，专利代理师郭玮，分类号H10P72/50、H10P72/00、H10P72/76。

专利摘要显示，本申请涉及一种晶圆对中机构、晶圆加热系统以及晶圆对中方法，包括导向盘、转动盘和锁紧件，导向盘开设导向孔道，导向孔道限定出导向轨迹，导向孔道在自一端至另一端的方向上与第一盘体中心的直线距离逐渐缩短，转动盘开设调节孔道，调节孔道限定出调节轨迹，调节孔道在自一端至另一端的方向上与第二盘体中心的直线距离逐渐缩短，导向盘的导向孔道和转动盘的调节孔道轴向相对，锁紧件活动装配在相互配合的一对导向孔道和调节孔道中，锁紧件由导向孔道突出于导向盘的第一盘体表面。相对转动晶圆对中机构的导向盘和转动盘，锁紧件沿着导向孔道和调节孔道同步移动，全部锁紧件与晶圆加热平台的平台边缘接触，实现晶圆与晶圆加热平台的对中。

微导纳米成立于2015年12月25日，于2022年12月23日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均为江苏省无锡市。公司是国内领先的ALD设备供应商，专注先进微、纳米级薄膜沉积技术和设备，技术实力与市场地位突出。

微导纳米所属申万行业为电力设备-光伏设备-光伏加工设备，涵盖先进封装、半导体设备等概念板块。其主营业务是以ALD技术为核心，为光伏、集成电路等半导体与泛半导体行业提供高端装备与技术解决方案。

2025年，微导纳米实现营业收入26.33亿元，在行业12家公司中排名第9，远低于行业第一名捷佳伟创的154.72亿元和第二名晶盛机电的113.57亿元，也低于行业平均数56.11亿元和中位数45.56亿元。主营业务构成中，光伏设备营收15.91亿元，占比60.43%；半导体设备营收8.81亿元，占比33.45%。净利润方面，2025年为2.19亿元，行业排名第7，与第一名捷佳伟创的26.18亿元、第二名晶盛机电的8.59亿元差距较大，低于行业平均数5.17亿元和中位数2.96亿元。

江苏微导纳米科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种成膜设备、成膜设备的进气装置及成膜设备的喷淋板发明专利公布CN202610492020.82026-04-15CN122013155A2026-05-12杨世蒙、宋广华、尤宇文2功能层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法发明专利公布CN202610426169.62026-04-02CN121968868A2026-05-01隋玉洁、王娟、姚俊、闻佳、袁红霞、李翔3一种硅片取放机构及导片系统发明专利公布CN202610214766.22026-02-13CN122028688A2026-05-12杨世蒙、李海生、宋广华4用于半导体薄膜处理设备的配气组件和半导体薄膜处理设备发明专利公布CN202610214730.42026-02-13CN122013152A2026-05-12衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超5半导体薄膜处理设备和半导体薄膜沉积方法发明专利公布CN202610214783.62026-02-13CN122013153A2026-05-12智顺华、衡德正、徐康、阮昊、王国超6一种载片舟流转设备、基片处理系统和载片舟流转方法发明专利公布CN202610163864.82026-02-04CN121985771A2026-05-05严大、汤宋波7一种喷淋装置及沉积镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610131881.32026-01-29CN121915386A2026-04-24施述鹏、廖宝臣8载具、镀膜设备及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610076563.12026-01-20CN121610764A2026-03-06李挺、余乐怡9喷淋机构及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202512059928.82025-12-31CN121593033A2026-03-03李宏岩、张鹤、赵昂璧10喷淋机构及其检测系统发明专利公布CN202512059363.32025-12-31CN121629365A2026-03-10贾松霖、张鹤、李宏岩、左敏11半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511999077.92025-12-26CN121793662A2026-04-03李翔、王娟、江诗聪、袁红霞、姚俊、李鹏、杨蕾12防污染角阀、角阀改造方法及沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511983364.02025-12-25CN121737683A2026-03-27毛文瑞、荒见淳一、赵婷婷13一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511942447.52025-12-22CN121826658A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超14加热盘机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511948067.22025-12-22CN121826668A2026-04-10许允昕、周芸福、王宗林15一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935884.42025-12-19CN121781271A2026-04-03常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛、王国超16一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935874.02025-12-19CN121781109A2026-04-03叶长松、常晓娜、张晶、刘松涛、王天宇、安超17半导体加热盘的装配方法和半导体工艺腔室发明专利公布CN202511923577.42025-12-18CN121653612A2026-03-13周瑞、周芸福18反应装置、半导体薄膜沉积方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511922972.02025-12-18CN121653610A2026-03-13安超、王天宇、王炫罡19反应腔室及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923368.X2025-12-18CN121674937A2026-03-17周芸福、黎微明、周瑞、王国超、王晴20支撑机构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923203.22025-12-18CN121843456A2026-04-10李森、常晓娜、叶长松、张晶、刘松涛21一种顶针结构、升降机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923315.82025-12-18CN121843483A2026-04-10王新征、侯永刚22承载支架和晶圆处理装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511923339.32025-12-18CN121865892A2026-04-14周峰、柴智、石帅、张义明23气路装置、气路控制方法、反应装置及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511923451.72025-12-18CN121854755A2026-04-14张棋凯、龚炳建24薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511912959.72025-12-17CN121865666A2026-04-14李向远、许所昌25管路系统、管路控制方法及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902157.82025-12-16CN121826650A2026-04-10邹天顺、龚炳建26反应装置、进气通道吹扫方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902518.92025-12-16CN121826655A2026-04-10邹天顺、龚炳建27测试装置、测试方法及升降机构发明专利公布CN202511902280.X2025-12-16CN121829901A2026-04-10陈鹏、周芸福28一种抽气构件和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902553.02025-12-16CN121826645A2026-04-10常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛29ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902512.12025-12-16CN121826654A2026-04-10许所昌、李向远30ALD薄膜沉积方法及装置和ALD薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902620.92025-12-16CN121826657A2026-04-10许所昌、李向远31进气结构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902544.12025-12-16CN121826656A2026-04-10刘松涛、常晓娜、张晶、叶长松、李森32支撑装置及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902345.02025-12-16CN121826663A2026-04-10周芸福、王国超、王卓、游巧33管路系统及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511902165.22025-12-16CN121820270A2026-04-10邹天顺、龚炳建34一种工艺腔体的盖板传送装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511881677.52025-12-12CN121826653A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超35薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511869929.22025-12-11CN121295147A2026-01-09许允昕、周芸福36加热系统、半导体设备和加热方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511862984.92025-12-10CN121430206A2026-01-30周瑞、周芸福、龚炳建37检测设备及基片状态的检测方法发明专利公布CN202511850870.22025-12-09CN121646334A2026-03-10王新征、陈鹏38金属粉末及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511841229.22025-12-08CN121755701A2026-03-31李翔、王娟、袁红霞、糜珂39一种基片载具及基片处理设备发明专利公布CN202511823477.42025-12-04CN121646312A2026-03-10陶志豪、周芸福、许允昕40一种基片载具发明专利实质审查的生效、公布CN202511810588.12025-12-03CN121620138A2026-03-06许允昕、王宗林、周芸福41保护磁流体的主轴结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511630974.22025-11-07CN121111992A2025-12-12周芸福、许允昕42一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511500786.82025-10-20CN121320911A2026-01-13李向远、许所昌43用于臭氧气体输送系统的预处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511501179.32025-10-20CN121320912A2026-01-13高力、朱金成、张义明44一种半导体加工设备及其进气单元发明专利实质审查的生效、公布CN202511416242.32025-09-29CN121161261A2025-12-19王天宇、安超、龚炳建、赵婷婷45一种用于交叉流的半导体处理设备及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511415651.12025-09-29CN121320910A2026-01-13周芸福、黎微明、皮代波、王国超、赵婷婷、许所昌46支撑装置和反应设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511404782.X2025-09-28CN121215603A2025-12-26柴智、赵学47翻盖开合装置和镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511360203.62025-09-22CN121161237A2025-12-19褚笛轲、李宏岩、左敏、胡磊、赵昂璧48一种沉积成膜设备、等离子体增强工艺设备及支撑组件发明专利公布CN202511205548.42025-08-26CN120989590A2025-11-21陈六、张胜、王亨、廖宝臣、徐兴文、李挺49沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511171414.52025-08-20CN120796918A2025-10-17姚森、王令、廖宝臣、王亨50射频馈入结构及等离子体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511129825.82025-08-12CN121011493A2025-11-25林英浩、荒见淳一、贾秀

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