国家知识产权局信息显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司申请一项名为“能够提高高腔膜厚均匀性和填孔能力的磁控组件及方法”的专利，公开号CN122039003A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明提出了能够提高高腔膜厚均匀性和填孔能力的磁控组件及方法，属于半导体制造技术领域，设置磁控组件初始排列形式，调整磁控组件参数，基于不同参数的磁控组件对晶圆进行薄膜沉积，获取晶圆表面沉积的薄膜膜厚；根据薄膜膜厚结果将薄膜及其沉积过程中使用的磁控组件分为凹凸两类；组合凹凸两类磁控组件，得到膜厚均匀度最佳的磁控组件组合，结合最佳磁控组件组合中凹类磁控组件的一半磁珠分布和凸类磁控组件的一半磁珠分布，得到最终磁珠分布及与磁珠分布相对应的磁轭形状。采用本发明方法能够得到理想的磁控组件结构，采用该磁控组件进行磁控溅射反应，薄膜均匀度高，且有效避免薄膜产生凹陷和空洞。

天眼查资料显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2166.4515万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息162条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员