国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体封装件的制造方法”的专利，公开号CN122074013A，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体封装件的制造方法。一种半导体封装件的制造方法，包括：在包括彼此相对的第一表面和第二表面的衬底中形成贯通电极；在衬底的第一表面上形成前导电凸块；对前导电凸块进行回流焊；以及在对前导电凸块进行回流焊之后平坦化前导电凸块的上部。

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作者：情报员