国家知识产权局信息显示，威弗洛得有限公司申请一项名为“具有抑制晶体缺陷和应力的SiC或SiCN成核层的GaN HEMT外延晶圆及其制造方法”的专利，公开号CN122073959A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明涉及GaN HEMT外延晶圆及其制造方法。本发明的制造方法包括：准备Si(111)衬底的步骤；在所述Si(111)衬底上形成成核层区（Nucleation Region）的步骤；在所述成核层区上形成应力调节区（Stress-relieving Region）的步骤；在所述应力调节区上形成高阻抗缓冲层区（Buffer Region）的步骤；以及在所述缓冲层区上形成包括沟道层及势垒层的有源层区的步骤。特别地，形成所述成核层区的步骤的特征在于，层叠由氮化铝（AlN）构成的层和由碳化硅（SiC）或碳氮化硅（SiCN）构成的层而形成。根据本发明，能够使晶体缺陷最小化并有效控制残留应力。

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作者：情报员