D2002UK 是Semelab(现隶属于 TT Electronics) 推出的一款 N 沟道射频功率 MOSFET(DMOS)，主要用于 射频功率放大与发射应用，适合中低功率、宽频段的 RF 设计需求。

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　　主要参数概览

　　基本信息

器件类型：射频功率 MOSFET

极性：N-Channel(增强型)

品牌 / 厂商：Semelab / TT Electronics

型号：D2002UK

封装形式：DP 陶瓷法兰封装

安装方式：螺钉固定，表贴/法兰安装

　　电气特性(典型值)

漏极-源极击穿电压(VDS)：约 65 V

连续漏极电流(ID)：约 2 A

最大栅源电压(VGS)：±20 V

栅极阈值电压(VGS(th))：约 1 – 7 V

射频输出功率：约 5 W(连续波 CW)

功率增益：约 13 dB

工作频率范围：DC ～ 1 GHz

最大功耗：约 29 W

　　热学与机械特性

结到壳热阻(RθJC)：约 6 °C/W

工作温度：最高可达约 150 °C(壳温)

典型尺寸：约 18.9 × 6.35 × 5.08 mm

　　典型应用

D2002UK 广泛应用于中低功率射频场景，包括但不限于：

VHF / UHF 射频功率放大器

无线通信发射模块

工业射频设备

测试与仪表类 RF 放大单元

　　产品特点总结

覆盖 DC–1GHz 的宽频工作能力

5W 级射频输出功率，适合驱动级或小功率末级

陶瓷法兰封装，散热性能好、可靠性高

适合通信、工业及专业射频应用

Semelab公司是一家专注于高可靠性半导体器件的制造商，提供功率半导体、RF MOSFET等产品，深圳市立维创展科技有限公司优势提供Semelab产品线，欢迎咨询了解。