韩媒 ZDNET Korea 今日援引业内消息称，铠侠第十代 BiCS FLASH 的量产时间表已调整至 2027 年，较此前传闻的 2026 年有所延后。具体投资方案预计 2026 年下半年才会明朗。

这一代号为 BiCS10 的产品将堆叠层数推升至 332 层，位密度较 BiCS8 提升 59%，I/O 接口速率达 4.8Gbps。层数跃升的背后是铠侠在 BiCS8 世代引入的 CBA 架构——把 CMOS 外围电路直接键合到存储阵列上，实现制造环节的解耦。

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目前 BiCS9 已完成出样，采用成熟存储单元搭配最新 CMOS 技术。而 BiCS10 的量产节点后移，意味着 332 层这一关键技术指标的落地还需等待更长时间。存储行业的层数竞赛进入深水区后，工艺复杂度和良率爬坡正在重塑厂商的时间表。