来源：新浪证券-红岸工作室

5月24日消息，国家知识产权局信息显示，江苏宏微科技股份有限公司申请一项名为“功率半导体模块”的专利，授权公告号CN309993166S，授权公告日为2026年5月22日。申请号为CN202530700604.6，申请公布日期为2026年5月22日，申请日期为2025年11月27日，发明人张潮、周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒，专利代理机构南京中高专利代理有限公司，专利代理师金啸，分类号13-03(15)。

专利摘要显示，1.本外观设计产品的名称：功率半导体模块。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于电子零部件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。

宏微科技成立于2006年8月18日，于2021年9月1日在上海证券交易所上市，注册地址与办公地址均位于江苏省常州市。公司是国内功率半导体领域的重要企业，专注IGBT、FRED等产品，具备芯片到模块的全产业链能力。

宏微科技主营业务为IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售，所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及碳化硅、功率半导体、逆变器等概念板块。

2025年，宏微科技实现营业收入13.48亿元，在行业18家公司中排名第9，远低于第一名*ST闻泰的312.53亿元和第二名士兰微的130.52亿元，行业平均数为39.84亿元，中位数为13亿元。主营业务构成中，模块(封装)收入10.34亿元，占比76.74%。净利润方面，2025年为1528.89万元，行业排名14/18，远低于第一名扬杰科技的12.45亿元和第二名捷捷微电的4.76亿元，行业平均数为 - 3.38亿元，中位数为5933.85万元。

江苏宏微科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1IGBT器件及其制备方法发明专利公布CN202511904173.02025-12-17CN121692683A2026-03-17张永旺、井亚会、高鹏、戚丽娜、崔崧、赵善麒2功率半导体模块外观专利授权CN202530700604.62025-11-27CN309993166S2026-05-22张潮、周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒3高散热功率半导体模块及模块连接组件发明专利实质审查的生效、公布CN202511734929.12025-11-25CN121215634A2025-12-26陈超、张海泉、崔崧、赵善麒4非对称单沟道平面SiC MOSFET器件及制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511734931.92025-11-25CN121510617A2026-02-10崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥5分离栅IGBT结构及其栅极驱动电路发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511478844.12025-10-16CN121335120A2026-01-13井亚会、赵善麒、戚丽娜、崔崧、胡爱斌6SiC MOSFET器件及其制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202511435164.12025-10-09CN121368145A2026-01-20崔崧、赵善麒、井亚会、张景超、戚丽娜、林茂、戴天祥7一种功率模块底板的曲面设计方法发明专利授权CN202511378033.42025-09-25CN120850622B2026-01-23周文科、郑军、张海泉、崔崧、赵善麒8SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511366576.42025-09-24CN121194488A2025-12-23戴天祥、张景超、戚丽娜、崔崧、赵善麒9具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511015501.12025-07-23CN120857555A2025-10-28刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒10高压快恢复二极管芯片及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510867630.72025-06-26CN120659342A2025-09-16林茂、黄郭铖、戚丽娜、崔崧、赵善麒11功率半导体模块外观专利授权CN202530339051.62025-06-13CN309784733S2026-02-10周祥、张潮、岳扬、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒12SiC MOSFET功率模块实用新型授权CN202521148578.12025-06-06CN224165048U2026-04-24於正新、刘帅帅、张海泉、崔崧、赵善麒13可拆卸式功率模块烧结压头实用新型授权CN202521150628.X2025-06-06CN224178565U2026-04-28岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒14高耐压垂直型GaN基MOSFET器件发明专利专利申请权、专利权的转移、实质审查的生效、公布CN202510439355.92025-04-09CN120302688A2025-07-11刘毅、戚丽娜、崔崧、赵善麒15一种半桥封装的单管结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510373732.32025-03-27CN120300088A2025-07-11井亚会、周昕、戚丽娜、崔崧、赵善麒16栅极电阻调节结构及功率模块发明专利实质审查的生效、公布CN202510289589.X2025-03-12CN120148994A2025-06-13李申祥、张敏、张海泉、崔崧、赵善麒17二合一功率半导体模块及动力系统实用新型授权CN202520321070.02025-02-26CN223942585U2026-02-24张有诚、张斌、李紫怡、张海泉、崔崧、赵善麒18快恢复二极管芯片及其制备方法发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510073708.82025-01-17CN119947135A2025-05-06黄郭铖、林茂、戚丽娜、崔崧、赵善麒19防硫化的功率模块发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510067300.X2025-01-16CN119650520A2025-03-18石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒20防硫化的功率模块实用新型授权CN202520109221.62025-01-16CN223859674U2026-01-30石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒21功率半导体模块外观专利授权CN202530021859.X2025-01-14CN309455955S2025-08-22张潮、周祥、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒22一种抗辐照SiC功率MOSFET器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411951406.82024-12-27CN119730329A2025-03-28林茂、戚丽娜、张景超、赵善麒23一种多芯片并联碳化硅功率模块实用新型授权CN202423266380.12024-12-27CN223993838U2026-03-13徐永哲、岳扬、张海泉、崔崧、赵善麒24一种新型分体式压接Pin针结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411921373.22024-12-25CN119764894A2025-04-04周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒25一种新型分体式压接Pin针结构实用新型授权CN202423205726.72024-12-25CN223729048U2025-12-26周祥、周忠卫、陈超、张海泉、崔崧、赵善麒26一种改进HD-GIT结构的HEMT器件发明专利实质审查的生效、公布CN202411910704.22024-12-24CN119866051A2025-04-22刘毅、崔崧、戚丽娜、赵善麒27一种功率模块液冷散热结构实用新型授权CN202423155976.42024-12-20CN223786523U2026-01-09岳扬、张海泉、赵善麒28一种功率器件高温反偏试验温度确定方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411767125.72024-12-04CN119716444A2025-03-28王群、吴云、王天赐、崔崧、赵善麒29一种基于功率半导体应用防止散热材料溢出的结构发明专利实质审查的生效、公布CN202411623029.52024-11-14CN119314959A2025-01-14陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒30功率半导体模块外观专利授权CN202430721701.92024-11-14CN309468123S2025-08-29周祥、张斌、张海泉、崔崧、赵善麒31一种基于功率半导体应用防止散热材料溢出的结构实用新型授权CN202422773492.X2024-11-14CN223552530U2025-11-14陈超、张海泉、崔崧、刘毅、赵善麒32一种适配于三电平功率模块动态测试的插接夹具实用新型授权CN202422603927.62024-10-28CN223551760U2025-11-14王天赐、吴云、王群、王鑫、崔崧、赵善麒33一种功率模块及其设计方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411502153.62024-10-25CN119486240A2025-02-18林杰、刘帅帅、张海泉、赵善麒34一种SiC功率MOSFET器件和制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411343366.92024-09-25CN119364816A2025-01-24张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒35一种SiC功率MOSFET器件实用新型授权CN202422343705.52024-09-25CN223379519U2025-09-23张景超、戚丽娜、周昕、朱宁、崔崧、郑海峰、赵善麒36由半导体分立器件背面进行失效定位的方法发明专利公布CN202411072071.22024-08-06CN119001387A2024-11-22吴云、王群、王天赐、查林晨、徐楠、崔崧、赵善麒37一种功率模块用的散热基板发明专利实质审查的生效、公布CN202410815656.22024-06-24CN118571851A2024-08-30石彩云、周祥38超声键合端子及其制造方法与具有压接功能的功率模块发明专利实质审查的生效、公布CN202410753992.92024-06-12CN118588668A2024-09-03周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒39一种超声键合端子及具有压接功能的功率模块实用新型授权CN202421332326.X2024-06-12CN222775318U2025-04-18周祥、石彩云、张海泉、崔崧、赵善麒40功率半导体模块（二）外观专利授权CN202430069202.62024-02-01CN308835654S2024-09-13周祥、石彩云、张海泉、麻长胜、赵善麒41功率半导体模块（一）外观专利授权CN202430069154.02024-02-01CN308835653S2024-09-13周祥、石彩云、张海泉、麻长胜、赵善麒42功率模块封装结构和电子设备实用新型授权CN202420196580.52024-01-26CN222637277U2025-03-18李申祥、周祥、曾旭阳、赵善麒43快恢复二极管器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311845493.42023-12-28CN117855290A2024-04-09黄郭铖、林茂、戚丽娜、俞义长、赵善麒44双向RC-MPTIGBT器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311744943.02023-12-18CN117936572A2024-04-26戚丽娜、张景超、俞义长、陈国康、赵善麒45功率半导体模块外观专利授权CN202330815179.62023-12-11CN308753168S2024-07-26周祥、郑军、张海泉、张正义、麻长胜、赵善麒46键合平台实用新型授权CN202323020089.12023-11-08CN221427683U2024-07-26缪益炜、张正义、赵善麒47SiC功率MOSFET器件及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202311478426.32023-11-07CN117393605A2024-01-12张景超、戚丽娜、井亚会、林茂、俞义长、赵善麒48一种IGBT单管叠片封装结构实用新型授权CN202322856351.X2023-10-24CN221708714U2024-09-13周昕、林茂、俞义长、赵善麒49功率模块的外壳及功率模块实用新型授权CN202322808828.72023-10-19CN221226206U2024-06-25刘帅帅、林杰、张正义、麻长胜、赵善麒50高气密性的功率模块及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311105137.92023-08-29CN117116870A2023-11-24陈超、张海泉、麻长胜、常东来、赵善麒

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