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2026 年 5 月 22 日,国际存储行业权威媒体 Blocks&Files 报道,华为在巴黎 IDI Forum 2026 活动上展示自研 DoB 板上裸片封装技术,已量产 61.44TB 和 122.88TB 两款企业级 SSD,245TB 版本在规划中,面向 AI 数据中心和海量存储场景。这是华为在美国 3D NAND 芯片制裁下,通过封装创新实现的关键突破。
华为因为被美国制裁,买不到国外最先进的3D NAND存储芯片。三星、SK海力士这些厂商已经量产了400多层堆叠的芯片,单颗芯片容量很高。华为能拿到的国产芯片来自长江存储,技术也很好,做到232层,但和国际最前沿的400多层相比,单颗芯片的存储密度大约只有一半。如果按传统方式做SSD,华为用232层的芯片去拼400多层的芯片,同样数量的芯片,容量就会落后。
华为换了一个思路。传统SSD是把每一颗NAND芯片先封装好,封装外壳占地方,然后在电路板上叠放这些带外壳的芯片,最多也就能叠16层左右。华为的做法是直接去掉封装外壳,把裸芯片直接焊在电路板上。这叫“板上裸片封装”。这样一来,没有外壳占空间,同样大小的电路板上可以塞进更多的裸芯片。而且裸芯片之间可以直接堆叠,突破了16层的限制,做到了36层堆叠。堆叠密度提升了33%。
用这个办法,华为用国产232层芯片,造出了122.88TB的SSD。这个容量可以和用了最先进400多层芯片的国际大厂产品正面竞争。当然,去掉封装也带来了新问题,裸芯片散热和信号传输更难处理,华为专门投入团队解决了这些工程难题。这款SSD已经用在华为的企业级存储产品里,比如OceanDisk 1800系列,在巴黎的科技展上展示过。
有国外网友评论说,美国的制裁怎么老是自己打脸。国内网友说华为像个打不死的小强,总是在极限里找到出路。也有用户关心这种技术什么时候能用到普通消费者的电脑上。
有分析认为,这件事真正的价值不在于一块硬盘的容量,而在于它证明了一条路:当你在核心元件上暂时追不上对手时,可以在系统集成和封装上创新,用更聪明的组合方式弥补单个元件的差距。这对中国半导体产业来说是一个很重要的启发。
存储行业分析师指出,DoB 技术不是替代 3D NAND,而是在制裁约束下的最优解,短期内解决大容量存储供给问题,为国产 NAND 成长争取时间。半导体专家认为,封装创新是中国半导体产业突破制裁的重要方向,华为验证了 “芯片受限、封装补位” 的可行性,带动国内封测技术升级。但专家提醒,长期仍需提升国产 3D NAND 层数和良率,封装创新只能缓解,不能根本解决芯片短板。
华为 122TB SSD 的意义,远超一款产品本身。它打破高端存储的技术垄断,证明外部封锁无法阻止中国科技企业进步,反而倒逼出差异化创新路径。DoB 技术不仅解决华为自身困境,更为国内同类企业提供借鉴,推动半导体产业从单一芯片竞争,转向封装、集成、固件优化的全链条竞争。这种被逼出来的创新,正是中国科技产业突围的核心动力。
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