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（来源：半导体芯情）

存储芯片涨价可能还会持续很长时间，根据美国存储芯片厂商美光CEO桑杰·马罗特拉（Sanjay Mehrotra）的观点，他最近发出预警，称当前全球内存短缺可能延续至2026年之后，而行业真正意义上的大规模新产能释放，至少要等到2028年。

在人工智能浪潮将内存芯片推至“新石油”地位的当下，存储行业正经历一场超级周期。美光已经在美国启动一项横跨三州的宏大投资计划，整个投资规模达到2000亿美元。

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“厂房基础建设是目前周期最长、挑战最大的环节，土建完成后，设备入场、安装调试同样需要漫长周期。”马罗特拉在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂接受采访时坦言。该工厂刚刚启动了全美首个“1-alpha”工艺节点DRAM量产，这也是美光将先进内存制造回流本土的关键一步。

由于全球存储芯片紧缺，美光正在进行大规模扩产。根据之前美光披露的计划，美光将在爱达荷州博伊西建设两座先进晶圆厂，首座预计明年年中产出首批晶圆，第二座则要到2028年底；在纽约州锡拉丘兹规划多达四座晶圆厂的生产集群。整体而言，美光计划在全美投资高达2000亿美元，目标是将本土产量占全球总产量的比重从当前的约10%提升至40%。

由于产能扩充需要时间，当下美光的核心客户都没有办法完全满足需求。马罗特拉透露，目前美光对核心客户的供应满足度仅能达到50%至三分之二，供需缺口巨大。

“我们预计行业内真正意义上的大体量新产能释放，要到2028年前后才会开始显现。”马罗特拉强调，内存制造属于建设周期极长的重资产，从厂房动工到设备调试完成，耗时远超外界想象。

众所周知，内存行业历来是一个强周期性行业，繁荣与萧条交替更迭。美光的大手笔投资也引发投资者的担忧。

据悉，2026财年中期，美光实现营业收入375.03亿美元，同比增长123.74%，是近年来增速最为强劲的时期。这一爆发式增长的根本驱动力在于人工智能（AI）对内存和存储的旺盛需求，尤其是数据中心市场对高带宽内存（HBM）、高容量DIMM及低功耗服务器DRAM的大量采购，叠加DRAM与NAND产品价格、销量及利润率的同步回升，以及公司成功向高价值细分市场完成产品结构转型。

对此，马罗特拉明确表示，美光会秉持“严谨、理性的纪律”，何时往新建厂房中填装生产设备，完全取决于对市场最新需求走势的精准评估，“核心在于要下好‘先手棋’，做好随时响应市场需求的产能准备。”

目前，美光正积极与客户签订长期供应协议，以锁定供应链的确定性与可预测性。这既保障了客户利益，也为美光自身的大规模长期投资注入了信心。

值得一提的是，作为美国唯一的内存制造商，美光在本土供应链安全议题上获得了特朗普政府的高度支持。美国商务部长霍华德·卢特尼克等官员近期多次为美光站台，政府甚至正推动更积极的“国家工业政策”以催化和激励本土半导体制造。

IDC预计，存储供应挑战可能延续至2027年；Counterpoint也认为，存储芯片短缺局面预计将持续至2027年下半年。在此背景下，手机价格持续上涨已不可避免。IDC预测，2026年中国手机市场旗舰机涨幅将突破30%；Counterpoint则预计，全球智能手机均价将同比上涨6.9%。

此次涨价潮与传统存储周期存在本质差异。“本轮涨价本质是AI基础设施需求爆发引发的供给侧重构。”NAND闪存控制芯片企业慧荣科技总经理苟嘉章指出。HBM及高阶DRAM需求快速增长，正促使存储厂商将更多产能转向高毛利产品，而低容量、低利润的消费级颗粒供应则持续收缩。这表明，存储价格上涨已从此前由智能手机、PC、传统服务器等多类需求周期性共振驱动，切换为由AI服务器需求引起的集中爆发。

对于存储的涨价预期，中信建投电子首席刘双锋等发布研报称，英伟达Rubin进入量产，下一代Feynman进一步推升算力硬件需求，服务器架构从训练主导转向训推兼顾，从GPU主导转向GPU+LPU架构，并推出存储机柜、CPU机柜、LPX机柜等，实现系统方案的进一步优化。谷歌/AWS/Meta等厂商的ASIC亦在加速迭代。算力芯片需求持续强劲增长，先进制程、先进存储、先进封装、PCB、光通信等仍是硬件需求增量、技术创新最显著的环节，台积电、三星、英特尔等开发并扩产2nm先进制程，HBM演进到HBM4并衍生出定制芯片，CoPoS、CoWoP等先进封装形式涌现，CPU、传统存储的供需也逐步紧俏。我们预计2026-2027年HBM、DRAM、NAND甚至小容量存储均会出现不同程度的供给紧缺，本轮存储涨价周期将不同于以往，涨价时间和涨价幅度将远超预期。供需缺口将催化价格大幅度上涨，根据Trendforce预测， DRAM 26Q2 的合约价在26Q1上涨93-96%的基础上继续上涨58-63%，NAND 26Q2的合约价在26Q1上涨85-90%的基础上继续上涨70-75%。

分析人士表示，全球存储芯片市场正面临15年来最严重供应短缺，2026年第二季度DRAM和NAND闪存价格预计分别上涨58%-63%、70%-75%，MLCNAND闪存价格同比暴涨300%。高盛研报显示，AI算力爆发、数据中心扩建及消费电子回暖导致供需缺口持续扩大，2026年DRAM、NAND及HBM供需缺口分别达4.9%、4.2%和5.1%。

根据Trendforce的预测，2026年第二季度整体一般型DRAM合约价格仍将增长。NAND Flash市场持续由AI、数据中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季度整体合约价格仍将增长。 本轮存储涨价由AI算力需求爆发引起，据市场观点，供需缺口在短期内难以缓解，存储市场有望持续景气。