全球存储芯片市场正在经历一场由AI引发的供需风暴。美光科技（Micron）在摩根大通全球科技、媒体及电信大会（第54届）上发出警告：高带宽存储器（HBM）、DRAM与NAND闪存的关键产品供应紧张局面，将延续至2026年之后。这场会议于美国波士顿举行，由台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）共同主办。
美光在会上解释，高性能存储芯片能够显著加速人工智能模型的训练与推理，市场相关需求因此持续高涨。公司预计整个存储市场的"紧俏"状态将一直延续到2026年以后。与此同时，HBM、DRAM与NAND的产品产能扩张面临客观难度，这将放大并延长供需失衡的周期。
多重因素正在推高这一轮存储紧缺。首先，新一代存储芯片的"代际性能跃升幅度"正在收窄，意味着客户需要采用更多芯片或更高规格产品，才能获得同等的性能增益。其次，新一代HBM芯片采用更大的晶粒面积（die size），在单位晶圆产能上，可切割出的芯片数量相对减少，直接压缩了有效供给。此外，极紫外光刻（EUV）正加速导入新一代DRAM制造工艺，在提升制程能力的同时，也对产线建设与芯片良率提出更高要求。
美光还披露了关于HBM4产品路线的关键信息。公司管理层称，随着AI应用持续扩张，其1-gamma工艺节点将成为公司历史上出货时晶粒面积最大的DRAM节点。HBM堆叠通常以多层DRAM模组为基础，并与AI GPU的高性能芯片封装在一起，这使得先进DRAM工艺在AI时代的重要性日益凸显。美光同时表示，正持续推进将EUV光刻深度导入1-gamma节点的量产工作。
在产能爬坡方面，美光指出，受AI需求驱动，HBM4的产能提升速度正以大约每两年一代的节奏推进，快于HBM3的周期。公司预计，下一代HBM4E将在2027年启动量产爬坡，首批样品将基于1-gamma工艺节点制造的DRAM芯片。这一时间表显示，美光正试图在每一代AI加速器平台上，同步实现高带宽存储的技术与产能就绪。
除高带宽存储外，美光还提到，随着AI模型"上下文窗口"持续扩展，以及推理工作负载增长，公司在固态硬盘（SSD）市场的份额也有所提升。美光强调，正与主要客户紧密合作，为其特定应用定制产品，而非简单提供标准化的"现货型"存储解决方案。这种更深度的合作模式，有望在未来几年内进一步巩固其在AI存储领域的地位。
摩根大通在会后研报中表示，基于美光管理层的最新表态，该行更加确信AI存储正处于"多年度上行周期"的早期阶段。在高性能计算、数据中心与AI加速器的竞争赛道上，HBM、DRAM与NAND的结构性供应紧张，可能成为2026年之后存储行业定价与利润率的核心支撑因素。
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