存储芯片的堆叠竞赛进入新阶段。据韩媒报道，三星电子近期完成全球首个900层3D NAND闪存原型开发，验证样品已实现存储单元正常工作。

这一突破的技术路径颇为特殊：采用单元多层键合（CMB）技术，将两片450层NAND垂直整合。相当于把两座"存储摩天大楼"精准对接，对键合可靠性要求极高。

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三星为此攻克了三大工艺难点：以"上部卡盘"技术解决晶圆翘曲变形；新型套刻校正技术消除微细对准误差；同时优化位线与字线设计，同步改善功耗和芯片尺寸。

当前主流3D NAND堆叠层数在200-300层区间，三星此次直接跃升至900层，若量产落地将显著拉开与竞争对手的技术代差。不过原型验证与大规模商用之间，通常还需数年时间跨越可靠性、良率和成本三重门槛。