三星成功开发出900层NAND原型|nand|三星电子|知名企业|韩国|高带宽内存

5月25日消息，据韩国媒体ETnews报道，存储芯片巨头三星电子近日成功开发出全球首个900层级V-NAND原型技术，向着“1000层NAND”的终极目标迈出了实质性的一步。在与竞争对手的激烈角逐中，这将成为三星一项极具分量的技术筹码。

此次突破的核心，是一种名为“单元多键合（CMB）”的技术。简单来说，三星将两片各450层的晶圆像“三明治”一样精准连接，合二为一，打造出900层级的集成系统。堆叠更多NAND层，意味着能在更小的芯片空间内塞进更大的存储容量，同时还能降低功耗。对于AI计算这类极度渴求数据吞吐量的工作负载，这种高密度堆叠结构的优势正日益凸显。

NAND Flash是AI服务器、智能手机、数据中心固态硬盘（SSD）的核心存储部件。层数越高，容量越大，有限芯片面积内的性能就越高。在AI服务器与端侧AI设备市场，高容量、高效率的存储元件已被视为决胜关键。

目前，SK海力士在量产市场以321层4D NAND保持领先，并创下了业内最高良率。而三星今年正准备量产第十代V-NAND（V10，超过400层），如今又在研发阶段迅速突破900层，已在下一代NAND的竞赛中抢占了一个有利身位。三星强调，这项研究“验证了电池正常工作特性”，意味着它已超越理论推演，达到了可实际操作的阶段。

自2013年全球率先将3D V-NAND商业化以来，三星一直在挑战堆叠工艺的极限。过去惯用的“单层堆叠”方法，是直接在晶圆上钻孔并一层层摞上去。但随着层数越高，晶圆就像叠得太高的薄饼，容易变形或错位，这构成了最棘手的物理障碍。

在向900层进发的过程中，三星祭出了两项关键法宝：一是引入先进的上卡盘设计，解决了最令人头疼的晶圆翘曲问题；二是通过自有的“套刻校正”技术，消除了连接过程中出现的微小错位。此外，全新设计的位线（BL）与字线（WL）结构，也在同时降低功耗、缩小芯片尺寸方面带来了显著成果。

在全球市场上，中国存储企业正迅速追赶，300层NAND堆栈已逐步迈过量产门槛，产能扩张与技术迭代也在同步提速。未来随着NAND市场的价格竞争的加剧，势必给韩国厂商带来压力。从这个角度看，三星押注900层技术，可视为一种构筑“中长期技术护城河”的战略回应。