AI带动DrMOS量价齐升，国产厂商加速布局|drmos|mosfet|控制器|电源

AI快速发展之下，GPU的功耗正在不断飙升。对AI服务器来说，可以说电源和GPU同样重要。有机构预测，AI服务器电源是下一个千亿元市场。

根据群智咨询最新预测，2026年全球AI服务器出货量将达到约370万台，同比增长51.3%，预计2028年将接近500万台。与此同时，AI芯片功耗正在急剧攀升，英伟达B200/GB200等芯片TDP已达1000W至2700W量级，导致DrMOS和多相控制器用量激增。以英伟达下一代Rubin平台为例，单芯片功率进一步提升，配套DrMOS数量增至360颗。

随着Agent的爆发，当前DrMOS市场可谓“量价齐升，一芯难求”。由于供不应求，近期现货市场出现大幅涨价。据产业反馈，部分型号价格暴涨，华强北现货甚至翻了数倍。

而在芯片端，厂商也非常关注DrMOS。今年5月22日举办的2026世界AI服务器电源大会（PSU 2026）上，DrMOS也成为了一大亮点，AOS（万国半导体）、茂睿芯、芯朋微、钰泰半导体展出了自己最新的产品。

DrMOS如此重要，今天EEWorld就来复盘一下DrMOS值得关注的技术细节和当下市场情况。

看明白DrMOS

AI服务器电源体系可分为三层：供电体系（UPS、HVDC、PDU）、AC-DC转换（PSU、PMC、BBU）和DC-DC转换（PDB、VRM）。对应芯片环节，UPS侧包含PFC、逆变控制与BMS芯片；AC-DC侧正由传统硅MOSFET/IGBT加速向GaN/SiC过渡；DC-DC侧则以DrMOS、多相控制器和PMIC为核心。

DrMOS作为多相电源方案的核心功率器件，用量与GPU功率和供电相数直接相关。

DrMOS中文名可以叫做“一体式供电”，全称Driver + MOSFET，是英特尔于2004年推出的服务器主板节能技术。它将一个驱动器和两个MOS管整合在单一封装中，形成“三合一”结构。相比分离式MOSFET方案，DrMOS的面积仅为前者的1/4，功率密度则提升了3倍。由于驱动器和功率管之间的距离极大缩短，寄生参数得以优化，从而在减小占用面积的同时提升了整体性能。

在DrMOS基础上，再塞进去一套高精度的“体检仪”（内置电流和温度传感器），能实时监控每一相的精确电流和温度，并直接汇报给CPU，就是智能功率级（SPS，Smart Power Stage）。因为SPS和DrMOS本来就是包含关系，所有的SPS都具备DrMOS的基本功能，但反之不成立，所以现在有时候芯片厂商经常混合两个概念。

DrMOS主要是为了解决在有限空间内提供大电流的难题，尤其是服务器、GPU等场景。随着处理器功耗攀升至数百安培级别，单个MOS管已无法满足需求。在高算力密度场景下，核心处理器对供电系统的要求已从“稳定供电”升级为“极致供电能力”：不仅需要在极短时间内提供超大电流输出，还必须在毫伏级电压波动中保持高精度调节，同时兼顾高效率能量转换、快速瞬态响应以及长期高温高负载下的可靠运行能力。由此，大电流化、集成化、智能化与高可靠性，正成为新一代AI电源技术演进的核心方向。

DrMOS通过合封技术，有效缩小了每相占用的面积，同时兼顾了散热性能。它并不只是简单地将三个Die合封在一起，而是必须在极小尺寸下保持稳定、在大电流下做好热管理、以及在复杂环境下保证长期稳定运行。因此，DrMOS厂商需要在功率管、控制器、封装技术、散热技术等方面具备扎实积累，并实现良好的成本控制。

当前，DrMOS正朝着更高输出电流、更高效率、更小尺寸和更快开关频率的方向演进，这需要在材料、工艺和控制技术等方面持续突破。

通常，在使用DrMOS时都是配合多相控制器一起搭配使用，来实现Core供电。以英伟达H100为例，其核心供电方案正是采用“多相控制器+DrMOS+电感的结构实现的。所以，芯片厂商提供的方案，大多数是配套的。

国外DrMOS主要产品

长期以来，服务器电源领域使用的都是MPS、TI、ADI、Infineon、ST等厂商的芯片产品，这些厂商的产品不仅在功率密度上具有优势，也都融入着自己的理解和创新。

MPS与英伟达的合作非常紧密，其DrMOS和多相控制器在数据中心应用广泛。在DrMOS领域，MPS的Intelli-Phase产品型号也非常多，包括90A的5x6 DrMOS MP87000-M、MP87190，80A的5x6 DrMOS MP86962、MP87180。而在官网，EEWorld发现MPS正在预发布MP87120、MP87550、MP87294、MP87297、MP87592这几款DrMOS，性能参数都很强大。此外，MPS还为英特尔Panther Lake平台及高端供电场景量身打造量身打造了MP87440。除了DrMOS，MPS也有大量配套的多相控制器可供选择，比如MP2891。

AOS（万国半导体）是英伟达另一个合作紧密的厂商。今年4月推出SmartClamp系列受保护型DrMOS产品，具备高精度的过流保护（OCP）与负电流保护（NCP）功能。其中，旗舰产品AOZ53228QI系列是业内目前首家真正实现上下限都侦测且限流的DrMOS产品，为AI服务器与高端GPU打造安全可靠的功率解决方案，可为多相电压调节器（VRs）提供独特的安全防护，有效防止在以高峰值电流为常态的严苛应用环境中发生灾难性故障。过去，AOS重点一直在DrMOS上，近年也在多相控制器上发力，推出了大量的产品。

ADI的LTC705x DrMOS系列利用ADI已获专利的Silent Switcher 2架构，并集成了自举电路，使得DrMOS模块能够以超快速度切换，同时降低了功率损耗和开关节点电压过冲，提高了性能。LTC705x DrMOS器件还提供过温保护(OTP)、输入过压保护(VIN OVP)和欠压闭锁(UVLO)保护等安全特性。最近，ADI还收购了Empower这家企业，获得了IVR技术，可以比传统DrMOS+多相控制器方案瞬态响应更快。

TI的DrMOS由1个驱动IC和2个分立的上下管MOS组成，上下管为采用NexFET技术的VDMOS。

瑞萨在DrMOS和SPS上迭代速度也很快，其中比较典型产品是90A 智能功率级（SPS）模块ISL99390R5935 和 ISL99390BR5935 ，分别与瑞萨电子 ISL68/69xxx 数字多相（DMP）控制器和相位倍增器（ISL6617A）兼容。

英飞凌也有很多功率级产品，包括TDA21570、TDA21535、TDA21590、TDA21520等。

目前在AI数据中心电源领域，国外芯片厂商正在推进背面供电和垂直供电（VPD），将DrMOS、电感等从大板正面转移到背面，释放正面空间，或者更进一步，将模块直接布置于主芯片背面下方，使从模块到用电点的走线距离接近板厚，横向走线显著减少。

国内DrMOS迎来窗口期

在高性能计算电源芯片领域，AI大模型训练对算力芯片（GPU/ASIC）提出了极高的功率密度与转换效率要求。极快的瞬态响应速度和极高的稳压精度，使得数字多相控制器与DrMOS成为AI服务器供电系统的标配。在这一领域，国产替代迎来了战略级窗口期。

杰华特在AI服务器电源芯片领域一直都在发力，其能够为为计算领域提供全面的模拟芯片解决方案。其中，以“智能功率级（DrMOS）+多相控制器“为杰华特最大亮点。当前，AI服务器计算能力快速提升，其功率密度也随之增长，所以服务器对散热和能耗产生更高要求。杰华特的方案相较于分立方案，能够降低高能耗问题，因此DrMOS在AI服务器领域的需求将不断扩大。目前，30A、50A、70A、90A的DrMOS都已在客户端实现量产爬坡。

在智能功率级方面，其推出的90A大电流输出的JWH7079智能功率级，内置MOSFET和驱动，支持3~16V宽输入、90A大电流输出，工作频率高达3MHz。集成5μA/A电流检测、8mV/℃温度监测及多重保护功能，采用4×6mm TLGA封装，适用于服务器、GPU等高性能计算供电场景。

在多相控制器方面，JWH6376是一款双路12相控制器，专为Intel VR14平台核心供电设计，同时兼容VR13.HC/VR13标准。该产品集成PMBus/I²C和AVSBus接口，支持电压、电流、功率及温度监测，并内置非易失存储（介质NVM）保存配置和记录故障。具备可编程环路补偿、相间电流均衡、热均衡调节功能。集成多种保护功能包括Vin/Vout过压/欠压、过流、过热保护；以及TLVR电感开短路检测和PWM信号float检测，为系统可靠性保驾护航。采用业界主流6mm×6mm QFN-48封装。

圣邦微今年5月推出了内置电流检测电路的90A高性能Smart Power Stage（DrMOS）——SGM25890。SGM25890采用多Die合封（Co‑Packaged）集成技术，将Buck降压电路上管、下管与驱动控制单元一体化封装，通过外部3.3V三态PWM信号实现芯片精准调控。搭配8相数字控制器可实现连续320A电流输出；配合新款16相控制器，更可支持连续720A负载与峰值1000A电流。该性能指标已进入国际主流DrMOS产品序列，可充分支撑大模型训练场景下处理器功耗持续攀升的供电需求。

茂睿芯在去年12月推出新一代智能功率级（SPS）产品MK684X系列（MK6840 & MK6841），该系列采用紧凑型4mm x 6mm封装，是在24年12月发布的5mm x 6mm封装MK6850上的进一步迭代。其中，MK6841采用的双面散热的封装结构，在芯片正面有可以直接与电感相连的SW焊点，在保持其他性能不变的条件下尽可能提升其散热性能和效率。

芯朋微在去年12月也一口气发布了12款芯片，其中包括PN786X系列DrMOS/Smart Power Stage 产品，面向XPU大电流VRM等高密度多相应用。其中，PN7864支70A，PN7865/PN7866支持90A，输入电压范围均为5~16V，并集成电流与温度感测功能，可为控制器提供更准确的反馈信息，帮助平台实现更好的均流、均温与闭环遥测，进一步提升供电效率、热表现与系统稳定性。

多相控制器方面，芯朋微也新推出了PN68XX 系列多相控制器（如PN6835、PN6844、PN6858 等），以5~16相全覆盖、双路/三路输出及PMBus、AVSBus、SVI2/3、SVID、PVID等全主流数字协议兼容能力，构建起“全协议+全相数”的完整产品矩阵；依托COT + TLVR+非线性控制，产品不仅能够全面覆盖AI算力、电源高性能供电等关键场景，还可实现对主流竞品的Pin-to-Pin无缝替代；与此同时，提供JDM深度定制服务，支持私有协议扩展与架构级协同研发，以更高适配度、更快导入效率和更强平台延展性，助力在AI算力时代抢占性能与上市先机。

矽力杰也布局了DrMOS这一领域，矽力杰SQ29670是一颗单芯片SPS/DrMOS，芯片内部集成解耦电容，MOSFET，驱动及控制单元，采用业界标准封装。通过优化的驱动和死区控制逻辑，能够实现高效率、高功率密度以及良好的散热性能。通过使用AutoZero运放，提供了高精度，快速响应的IMON波形。严密的控制和保护逻辑使其能轻松兼容主流的前级控制器，适用于CPU，GPU以及POL的电源设计。

晶丰明源去年宣布，推出第二代DrMOS，依托首代自研BCD工艺（BPS-G1）的成熟基础，晶丰明源成功研发并量产了第二代BCD工艺（BPS-G2），其关键性能指标实现跨越，已达国际一流水平。晶丰明源第二代DrMOS采用全新Co-pack封装，多晶圆+基板（Substrate）设计，融合了前两种设计的优势，在实现更优性能的同时，达成了更佳的综合成本效益。

应用方面，比较典型的是16相数字控制器BPD95036+大电流智能DrMOS BPD80690。

DrMOS已成为高端AI电源的行业标配。随着AI算力持续升级，高集成度、大电流承载能力、高可靠性正成为长期发展趋势。凭借不可替代的集成与性能优势，DrMOS正快速从高端服务器向通用AI服务器、边缘算力及智算中心全面普及。

DrMOS正朝着更高电流密度、更高效率、更强热可靠性三大方向持续迭代。通过提升单颗输出能力、降低导通损耗，并集成完备的保护功能，DrMOS能够深度适配液冷散热方案。同时，该技术与800VDC高压架构、多相数字控制及高频拓扑形成深度协同，共同构建AI服务器的高效供电体系。此外，随着AI服务器对于供电的要求逐步提升，DrMOS与SPS也正在逐渐转向垂直供电。

参考文献

[1]AOSemi：https://mp.weixin.qq.com/s/UvCvo0qu83tCiT7Vz1PBWA

[2]ADI：https://www.analog.com/cn/resources/analog-dialogue/articles/how-monolithic-driver-mosfet-technology-improves-power-system-design.html

[3]矽力杰：https://mp.weixin.qq.com/s/XHkvL2CWRUC5Snb3w10aMQ

[4]茂睿芯：https://mp.weixin.qq.com/s/oQCSh2ptm54VOjDk6CNWIA

[5]芯朋微：https://mp.weixin.qq.com/s/VhqhzcbE8t4M7QrOk4RlqQ

[6]私家芯探：https://mp.weixin.qq.com/s/VejxoApUtGD_DHvVJFvjhw

[7]中金点睛：https://mp.weixin.qq.com/s/BXFdldKyUZOTQnql2A2OKQ

[8]港美通讯：https://mp.weixin.qq.com/s/wvOwApR9qGzJrbg56u3-qA

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